1.

国際会議録
国際会議録
1. Aspects of the Growth of InP / InGaAs Multi-Quantum Well Structures by Gas Source Molecular Beam Epitaxy
Davies J. G. ; Scott G. E. ; Lyons H. M. ; Rejman-Greene Z. A. M. ; Andrews A. D.
出版情報: Spectroscopy of semiconductor microstructures.  pp.45-63,  1989.  New York.  Plenum Press
シリーズ名: NATO ASI series. Series B, Physics
シリーズ巻号: 206
2.

国際会議録
国際会議録
2. RELAXATION OF Si/Si Ge STRAINED LAYER STRUCTURES
Gibbings J. C. ; Tuppen G. C. ; Halliwell G. A. M. ; Hockyly M. ; Davery T. S. ; Lyons H. M.
出版情報: Heterostructures on silicon : one step further with silicon.  pp.121-128,  1989.  Dordrecht.  Kluwer Academic Publishers
シリーズ名: NATO ASI series. Series E, Applied sciences
シリーズ巻号: 160