1.

国際会議録
国際会議録
1. Properties of Semi-Insulating GaAs:Fe Grown by Hydride Vapour Phase Epitaxy
Rodriguez Mezzmer, E. ; Soderstrom, D. ; Hult, P. ; Marcinkevicius, S. ; Lourdudoss, S. ; Look, D.C.
出版情報: State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI) : proceedings of the thirty-first symposium.  pp.15-19,  1999.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-17
2.

国際会議録
国際会議録
2. Ruthenium Doped Indium Phosphide Growth by Low Pressure Hydride Vapor Phase Epitaxy
Soderstnint, D. ; Lourdudoss, S. ; Wallncaes, M. ; Dadgar, A. ; Stenzel, O. ; Bintberg, D. ; Schuntann, H.
出版情報: CVD XV, proceedings of the fifteenth International Symposium on Chemical Vapor Deposition.  pp.715-722,  2000.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-13
3.

国際会議録
国際会議録
3. Effect of growth conditions on epitaxial lateral overgrowth of InP on InP/Si (001) substrate by hydride vapor phase epitaxy
Sun, Y.-T. ; Lourdudoss, S.
出版情報: Photonics Packaging and Integration III.  pp.221-231,  2003.  Bellingham, Wash..  SPIE-The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 4997