1.

国際会議録
国際会議録
1. Contactless Measurement of the Thermal Conductivity of Thin SiC Layers
Rohmfeld,S. ; Hundhausen,M. ; Ley,L.
出版情報: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, ICSCIII-N'97 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Stockholm, Sweden, September 1997.  Part1  pp.657-660,  1998.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 264-268
2.

国際会議録
国際会議録
2. High Resolution Photoemission Study of the 6H-SiC/SiO2 Interface
Mattern,B. ; Bassler,M. ; Pensl,G. ; Ley,L.
出版情報: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, ICSCIII-N'97 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Stockholm, Sweden, September 1997.  Part1  pp.375-378,  1998.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 264-268
3.

国際会議録
国際会議録
3. Electronjc and Atomic Structure of the C-Termiuated 6H-SiC Surface
Hollering,M. ; Mattem,B. ; Maier,F. ; Ley,L. ; Stampfl,A.P.J. ; Xue,J. ; Riley,J.D. ; Leckey,R.C.G.
出版情報: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, ICSCIII-N'97 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Stockholm, Sweden, September 1997.  Part1  pp.331-334,  1998.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 264-268
4.

国際会議録
国際会議録
4. Mechanism of Reactive Ion Etching of 6H-SiC in CHF3/O2 Gas Mixtures
Sieber,N. ; Ristein,J. ; Ley,L.
出版情報: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, ICSCIII-N'97 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Stockholm, Sweden, September 1997.  Part2  pp.825-828,  1998.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 264-268