1.

国際会議録
国際会議録
1. High-Temperature (up to 800 K) Operation of 6-kV 4F-SiC Junction Diodes
Levinshtein, M.E. ; Ivanov, P.A. ; Boltovets, M.S. ; Krivutsa, V.A. ; Palmour, J.W. ; Das, M.K. ; Hull, B.A.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.1339-1342,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
2.

国際会議録
国際会議録
2. Analysis of the Effect of Temperature on Base Current Gain in Power 4H-SiC BJTs
Ivanov, P.A. ; Levinshtein, M.E. ; Agarwal, A.K. ; Krishnaswami, S. ; Palmour, J.W.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.1441-1444,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
3.

国際会議録
国際会議録
3. Dynamic Performance of 3.1 kV 4H-SiC Asymmetrical GTO Thyristors
Agarwal, A.K. ; Ivanov, P.A. ; Levinshtein, M.E. ; Palmour, J.W. ; Rumyantsev, S.L.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1349-1352,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
4.

国際会議録
国際会議録
4. Turn-off Performance of a 2.6 kV 4H-SiC Asymmetrical GTO Thyristor
Agarwal, A.K. ; Ivanov, P.A. ; Levinshtein, M.E. ; Palmour, J.W. ; Rumyantsev, S.L. ; Ryu, S.H. ; Shur, M.S.
出版情報: Silicon carbide and related materials : ECSCRM2000, proceedings of the 3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Kloster Banz, Germany, September 2000.  pp.743-746,  2001.  Uetikon-Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 353-356
5.

国際会議録
国際会議録
5. Dynamic Performance of 3.1 kV 4H-SiC Asymmetrical GTO Thyristors
Agarwal, A.K. ; Ivanov, P.A. ; Levinshtein, M.E. ; Palmour, J.W. ; Rumyantsev, S.L.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1349-1352,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
6.

国際会議録
国際会議録
6. Optical Switch-On of Silicon Carbide Thyristor
Levinshtein, M.E. ; Ivanov, P.A. ; Agarwal, A.K. ; Palmour, J.W.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2002 : ECSCRM2002, proceedings of the 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-5, 2002, Linköping, Sweden.  pp.851-854,  2003.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 433-436
7.

国際会議録
国際会議録
7. Base Current Gain of Power (1800 V, 10 A) 4H-SiC npn-BJTs
Ivanov, P.A. ; Levinshtein, M.E. ; Agarwal, A.K. ; Palmour, J.W. ; Ryu, S.H.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2003 : ICSCRM, 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003.  pp.1145-1148,  2004.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 457-460
8.

国際会議録
国際会議録
8. Parameters of Electron-Hole Scattering in Silicon Carbide
Mnatsakanov, T.T. ; Levinshtein, M.E. ; Ivanov, P.A. ; Tandoev, A.G. ; Yurkov, S.N. ; Palmour, J.W. ; Singh, R.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2002 : ECSCRM2002, proceedings of the 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-5, 2002, Linköping, Sweden.  pp.411-414,  2003.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 433-436
9.

国際会議録
国際会議録
9. Generation-recombination noise in GaN and GaN-based devices (Invited Paper)
Pala, N. ; Rumyantsev, S.L. ; Shur, M.S. ; Levinshtein, M.E. ; Khan, M.A. ; Simin, G.S. ; Gaska, R.
出版情報: Noise in Devices and Circuits.  pp.217-231,  2003.  Bellingham, Wash..  SPIE-The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 5113
10.

国際会議録
国際会議録
10. The origin of the 1/f noise in GaN-based HFETs: Is it tunneling?
Levinshtein, M.E.
出版情報: 10th International Symposium on Nanostructures: Physics and Technology.  pp.320-322,  2003.  Bellingham, Wash..  SPIE-The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 5023