1.

国際会議録
国際会議録
1. Damage in High Energy Light Ions Irradiated Silicon Carbide
Leveque, P. ; Godey, S. ; Renault, P. O. ; Ntsoenzok, E. ; Barbot, J. F.
出版情報: Defect and impurity engineered semiconductors, II : symposium held April 13-17, 1998, San Francisco, California, U.S.A..  pp.175-,  1998.  Warrendale, Pa.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 510
2.

国際会議録
国際会議録
2. Defect Evolution in Proton-Irradiated 4H SiC Investigated by Deep Level Transient Spectroscopy
Leveque, P. ; Martin, D. ; Svensson, B.G. ; Hallen, A.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2002 : ECSCRM2002, proceedings of the 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-5, 2002, Linköping, Sweden.  pp.415-418,  2003.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 433-436