1.

国際会議録
国際会議録
1. SELECTIVE CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION OF TUNGSTEN USING SiH4WF6 CHEMISTRY
van der Jeugd, C.A. ; Verbruggen, A.H. ; Leusink, G.J. ; Janssen, G.C.A.M. ; Radelaar, S.
出版情報: Chemical vapor deposition of refractory metals and ceramics : symposium held November 29-December 1, 1989, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.179-184,  1990.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 168
2.

国際会議録
国際会議録
2. IN SITU STRESS MEASUREMENTS DURING THE REACTION OF WF6 WITH Si(100)
Leusink, G.J. ; Heerkens, C.Th.H. ; Janssen, G.C.A.M. ; Radelaar, S.
出版情報: Evolution of thin-film and surface microstructure : symposium held November 26-December 1, 1990, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.211-216,  1991.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 202
3.

国際会議録
国際会議録
3. The Kinetics of Tungsten Deposition from a H2/WF6- Mixture Studied by In-Situ Laser Raman Scattering
Oosterlaken, T.G.M. ; Leusink, G.J. ; Janssen, G.C.A.M. ; Radelaar, S.
出版情報: Proceedings of the Thirteenth International Symposium on Chemical Vapor Deposition.  pp.808-813,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-5
4.

国際会議録
国際会議録
4. Remote Microwave Plasma Enhanced CVD of Low Dielectric Constant SiOxFy Films From FASi-4 and Oxygen
Virmani, M. ; Jin, Z. ; Leusink, G.J. ; Raupp, G.B. ; Cale, T.S. ; Laxman, R.K. ; Hochberg, A.K.
出版情報: Proceedings of the Thirteenth International Symposium on Chemical Vapor Deposition.  pp.869-878,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-5