1.

国際会議録
国際会議録
1. Investigation of Low-Molecular-Weight Carbosilanes as Potential Single-Source Precursors to Silicon Carbide
Lienhard, M. A. ; Interrante, L. V. ; Larkin, D. J.
出版情報: Chemical aspects of electronic ceramics processing : symposium held November 30-December 4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.139-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 495
2.

国際会議録
国際会議録
2. Dopant Incorporation Efficiency in CVD Silicon Carbide Epilayers
Larkin, D. J.
出版情報: Covalent ceramics III - science and technology of non-oxides : symposium held November 27-30, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.337-,  1996.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 410
3.

国際会議録
国際会議録
3. Elevated temperature silicon carbide chemical sensors
George, M. A. ; Ayoub, M. A. ; Ila, D. ; Larkin, D. J.
出版情報: Wide-bandgap semiconductors for high-power, high-frequency, and high temperature applications--1999 : symposium held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.123-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 572
4.

国際会議録
国際会議録
4. Fabrication of SiC Hydrogen Sensor by Pd-Implantation
Muntele, C. I. ; Ila, D. ; Williams, E. K. ; Poker, D. B. ; Hensley, D. K. ; Larkin, D. J. ; Muntele, I.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.1443-1446,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(2)
5.

国際会議録
国際会議録
5. Ion Beam Induced Change in the Linear Optical Properties of SiC
Williams, E. K. ; Ila, D. ; Poker, D. B. ; Hensley, D. K. ; Larkin, D. J.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.667-670,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(1)
6.

国際会議録
国際会議録
6. Formation of metallic nanoclusters in SiC by MeV ion implantation
Ila, D. ; Williams, E. K. ; Elsamadicy, A. ; Gasic, B. ; Poker, D. B. ; Hensley, D. K. ; George, M. A. ; Ayoub, M. A. ; Larkin, D. J.
出版情報: Semiconductor quantum dots : symposium held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.223-,  2000.  Warrendale, PA.  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 571
7.

国際会議録
国際会議録
7. Characterization of the Interface between Metal Contacts and Epilayers of Doped Silicon Carbide
George, M. A. ; Larkin, D. J. ; Petit, J. ; Burger, A. ; Morgan, S. H. ; Collins, W. E.
出版情報: Surface/interface and stress effects in electronic material nanostructures : symposium held November 27-December 1, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.513-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 405
8.

テクニカルペーパー
テクニカルペーパー
8. Effect of Tilt Angle on the Morphology of SiC Epitaxial Films Grown on Vicinal (0001) SiC Substrates
Powell, J. A. ; Larkin, D. J. ; Abel, P. B. ; Zhou, L. ; Pirouz, P.
出版情報: NASA Technical Reports.  19970020726  (NASA-TM-112470),  pp.1-6,  1996.  National Aeronautics and Space Adminstration
9.

テクニカルペーパー
テクニカルペーパー
9. Site-Competition Epitaxy for n-type and p-type Dopant Control in CVD SiC Epilayers
Larkin, D. J.
出版情報: NASA Technical Reports.  19970020728  (NASA-TM-112474),  pp.1-8,  1995.  National Aeronautics and Space Adminstration
10.

テクニカルペーパー
テクニカルペーパー
10. Dopant Incorporation Efficiency in CVD Silicon Carbide Epilayers
Larkin, D. J.
出版情報: NASA Technical Reports.  19970019642  (NASA-TM-112756),  pp.1-10,  1996.  National Aeronautics and Space Adminstration