1.

国際会議録
国際会議録
1. The Profile Control of n-type Doping in Low and High Temperature Si Epitaxy for High Frequency Bipolar Transistors
Radamson, H.H. ; Mohadjeri, B. ; Malm, B.G. ; Grahn, J.V. ; Oestling, M. ; Landgren, G.
出版情報: CVD XV, proceedings of the fifteenth International Symposium on Chemical Vapor Deposition.  pp.427-434,  2000.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-13
2.

国際会議録
国際会議録
2. PHOTOREFLECTANCE CHARACTERIZATION OF InGaAs LATTICE MATCHED TO InP
Bellani, V. ; Amiotti, M. ; Geddo, M. ; Guizzetti, G. ; Landgren, G.
出版情報: Diagnostic techniques for semiconductor materials processing : Symposium held November 29-December 2, 1993, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.225-,  1994.  Pittsburgh.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 324
3.

国際会議録
国際会議録
3. Diffusion of Phosphorus in Strained Si/SiGe/Si Heterostructures
Kuznetsov, A. Yu. ; Christensen, J. S. ; Linnarsson, M. K. ; Svensson, B. G. ; Radamson, H. H. ; Grahn, J. ; Landgren, G.
出版情報: Si front-end processing - physics and technology of dopant-defect interactions : symposium held April 6-9, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.271-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 568
4.

国際会議録
国際会議録
4. The chemisorption of fluorine on silicon (111) surfaces
McFeely, F. R. ; Morar, J. ; Shinn, N. D. ; Landgren, G. ; Himpsel, F. J.
出版情報: Thin films and interfaces II : symposium held November 1983, in Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.341-344,  1984.  New York.  North-Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 25