1.

国際会議録
国際会議録
1. Surface Passivation for Low-Temperature UHV Wafer Bonding of GaAs Substrates
Hesse, P.J. ; Haas, T.W. ; Lampert, W.V. ; Eyink, K.G. ; Tomich, D.H. ; Seaford, M.L.
出版情報: Semiconductor wafer bonding : science, technology, and applications : proceedings of the international symposia.  pp.244-258,  1999.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-35
2.

国際会議録
国際会議録
2. THE EFFECTS OF GROWTH SEQUENCE ON THE ELECTRONIC PROPERTIES OF Al-Ge-Ni OHMIC CONTACTS ON (001) GaAs
Lampert, W.V. ; Haas, T.W. ; Lambers, E.S. ; Holloway, Paul H.
出版情報: Semiconductor heterostructures for photonic and electronic applications : symposium held November 30-December 4, 1992, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.695-700,  1993.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 281
3.

国際会議録
国際会議録
3. NEW A1-Ni-Ge CONTACTS ON GaAs; THEIR STRUCTURE AND ELECTRICAL PROPERTIES
Liliental-Weber, Z. ; Washburn, J. ; Musgrave, C. ; Weber, E.R. ; Zuleeg, R. ; Lampert, W.V. ; Haas, T.W.
出版情報: Advanced surface processes for optoelectronics : symposium held April 5-8, 1988, Reno, Nevada, U.S.A..  pp.295-302,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 126
4.

国際会議録
国際会議録
4. In situ Process Monitoring of the Conversion of Al-Ge-Ni Contacts From Schottky to Ohmic Electrical Behavior
Lampert, W.V. ; Haas, T.W. ; Holloway, P.H.
出版情報: Proceedings of the Twenty-first State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXI).  pp.175-186,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-34