1.

国際会議録
国際会議録
1. Beam recrystallized silicon-on-insulator devices
Lam, H.W.
出版情報: Laser and electron-beam interactions with solids : proceedings of the Materials Research Society Annual Meeting, November 1981, Boston Park Plaza Hotel, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.471-482,  1982.  New York.  North Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposia proceedings
シリーズ巻号: 4
2.

国際会議録
国際会議録
2. * PROCESS AND DEVICE CONSIDERATIONS FOR SMALL GRAIN POLYSILICON TRANSISTORS
Shichijo, H. ; Malhi, S.D.S. ; Sundaresan, R. ; Banerjee, S.K. ; Lam, H.W.
出版情報: Semiconductor-on-insulator and thin film transistor technology : symposium held December 3-6, 1985, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.419-428,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 53
3.

国際会議録
国際会議録
3. COMPARISON OF STRUCTURAL AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF SOLID-PHASE EPITANIAL FILMS RECRYSTALLIZED BY RAPID THERMAL ANNEALING AND FURNACE ANNEALING
Sundaresan, R. ; Chang, P.-H. ; Malhi, S.D.S. ; Lam, H.W.
出版情報: Semiconductor-on-insulator and thin film transistor technology : symposium held December 3-6, 1985, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.175-180,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 53
4.

国際会議録
国際会議録
4. * EPITAXIAL GROWTH ON SIMOX WAFERS
Lam, H.W.
出版情報: Semiconductor-on-insulator and thin film transistor technology : symposium held December 3-6, 1985, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.223-226,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 53
5.

国際会議録
国際会議録
5. THE PHYSICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF BURIED NITRIDE SOI STRUCTURES SYNTHESIZED BY NITROGEN ION IMPLANTATION
Slawinski, C. ; Mao, B.-Y. ; Chang, P.-H. ; Lam, H.W. ; Keenan, J.A.
出版情報: Semiconductor-on-insulator and thin film transistor technology : symposium held December 3-6, 1985, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.269-272,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 53
6.

国際会議録
国際会議録
6. THE EFFECTS OF ANNEALING TEMPERATURE ON THE CEARACTERISTICS OF BURIED OXIDE SILICON-ON-INSULATOR
Mao, B.-Y. ; Chang, P.-H. ; Lam, H.W. ; Shen, B.W. ; Keenan, J.A.
出版情報: Semiconductor-on-insulator and thin film transistor technology : symposium held December 3-6, 1985, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.251-256,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 53