1.

国際会議録
国際会議録
1. Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposited Silicon Nitride for T-gate Passivation
Ren, F. ; LaRoche, J. ; Anderson, T. ; Pearton, S.J. ; Lee, J.W. ; Johnson, D. ; Lothian, J.R. ; Lin, J. ; Weiner, J.S. ; Shul, R.J. ; Wu, C.S.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Light Emitting Devices for Optoelectronic Applications and the Twenty-Eighth State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors.  pp.513-519,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-2
2.

国際会議録
国際会議録
2. Comparison of Digital versus Continuous Growth Techniques for MgCaO Dielectric on GaN
Onstine, A.H. ; Herrero, A. ; Gila, B.P. ; Stodilka, D. ; Abernathy, C.R. ; LaRoche, J. ; Ren, F. ; Pearton, S.J.
出版情報: Integration of advanced micro- and nanoelectronic devices - critical issues and solutions : symposium held April 13-16, 2004, San Francisco, California, U.S.A..  pp.353-358,  2004.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 811
3.

国際会議録
国際会議録
3. Current Gain Simulation Of Npn AlGaN/GaN Heterojunction Bipolar Transistors
Monier, C. ; Pearton, S.J. ; Baca, Albert G. ; Chang, P.C. ; Zhang, L. ; Han, J. ; Shul, R.J. ; Ren, F. ; LaRoche, J.
出版情報: Wide-bandgap electronic devices.  pp.T3.3-,  2001.  Warrendale, PA..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 622