1.

国際会議録
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1. DOPANT ENHANCED LOW-TEMPERATURE EPITAXIAL GROWTH BY RAPID THERMAL PROCESSING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
Hsieh, T.Y. ; Jung, K.H. ; Kwong, D.L.
出版情報: Silicon molecular beam epitaxy : symposium held April 29-May 3, 1991, Anaheim, California, U.S.A..  pp.625-632,  1991.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 220
2.

国際会議録
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2. RTP-CVD OF Si MATERIALS AND DEVICES FOR ULSI APPLICATIONS
Kwong, D.L. ; Hsieh, T.Y. ; Jung, K.H.
出版情報: Silicon molecular beam epitaxy : symposium held April 29-May 3, 1991, Anaheim, California, U.S.A..  pp.557-568,  1991.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 220
3.

国際会議録
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3. COMPARISON OF THE DENSITY AND DISTRIBUTION OF TRAPS GENERATED BY HIGH VOLTAGE STRESS IN SILICON OXIDE AND SILICON OXYNITRIDES
Richardson, J.T. ; Dumin, D.J. ; Lo, G.Q. ; Kwong, D.L. ; Gross, B.J. ; Sodini, C.G.
出版情報: Amorphous insulating thin films : symposium held December 1-4, 1992, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.357-362,  1993.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 284
4.

国際会議録
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4. lssues on the In-Situ Cleaning of the Silicon Surface and the Process Conditions for Epitaxial Silicon Growth in an RTP CVD Systems
Wang, C.L. ; Unnikrishnan, S. ; Kim, B.Y. ; Kwong, D.L. ; Tasch, A.F.
出版情報: Proceedings of the Thirteenth International Symposium on Chemical Vapor Deposition.  pp.306-311,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-5
5.

国際会議録
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5. Effect of Trace Oxygen on Selective Silicon Deposition in a Single-Wafer RTP CVD Reactor
Wang, C.L. ; Unnikrishnan, S. ; Kim, B.Y. ; Kwong, D.L. ; Tasch, A.F.
出版情報: Proceedings of the Thirteenth International Symposium on Chemical Vapor Deposition.  pp.312-317,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-5
6.

国際会議録
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6. Strained Ge MOSFETs: Devices and Process Technology
Ritenour, A. ; Lee, M. ; Lu, N. ; Bai, W. ; Yu, S. ; Fitzgerald, E. ; Kwong, D.L. ; Antoniadis, D.
出版情報: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices : proceedings of the international symposium.  pp.406-411,  2004.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-01
7.

国際会議録
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7. Characteristics of Ultra Thin (EOT<1 nm) RTCVD Zr Silicate (Zr 27Si 10O 63) Gate Dielectrics
Lee, C.H. ; Luan, H.F ; Bat, W.P. ; Lee, S.J. ; Jean, T.S. ; Roberts, D. ; Kwong, D.L.
出版情報: Rapid thermal and other short-time processing technologies II : proceedings of the international symposium.  pp.205-210,  2001.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-9
8.

国際会議録
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8. New Reliability Issues of CMOS Transistors with 1.3nm Thick Gate Oxide
Cho, B.J. ; Chen, G. ; Loh, W.Y. ; Kwong, D.L.
出版情報: Silicon nitride and silicon dioxide thin insulating films VII : proceedings of the international symposium.  pp.228-240,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-2
9.

国際会議録
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9. PHOTOLUMINESCENCE AND STRUCTURE OF CHEMICALLY ETCHED Si
Shih, S. ; Jung, K.H. ; Hsieh, T.Y. ; Sarathy, J. ; Tsai, C. ; Li, K.-H. ; Campbell, J.C. ; Kwong, D.L.
出版情報: Light emission from silicon : symposium held December 3-5, 1991, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.27-30,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 256
10.

国際会議録
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10. STRUCTURE AND COMPOSITION OF LUMINESCENT LATERALLY ANODIZED POROUS Si
Jung, K.H. ; Shih, S. ; Hsieh, T.Y. ; Campbell, J.C. ; Kwong, D.L. ; George, T. ; Lin, T.L. ; Liu, H.Y. ; Zavada, J. ; Novak, S.
出版情報: Light emission from silicon : symposium held December 3-5, 1991, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.31-34,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 256