1.

国際会議録
国際会議録
1. Defect mediated and resonant optical excitation of Er3+ ions in silicon-rich silicon oxide
Kuritsyn, D. ; Kozanecki, A. ; Przybylinska, H. ; Jantsch, W.
出版情報: Optoelectronics of group-IV-based materials : symposium held April 21-24, 2003, San Francisco, California, U.S.A..  pp.107-112,  2003.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 770
2.

国際会議録
国際会議録
2. High Resolution Site-Selective Studies of Erbium-Centers in GaN and GaN:Mg
Glukhanyuk, V. ; Przybylinska, H. ; Kozanecki, A. ; Jantsch, W.
出版情報: Rare-earth doping for optoelectronic applications : symposium held March 29-31, 2005, San Francisco, California, U.S.A..  pp.97-104,  2005.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 866
3.

国際会議録
国際会議録
3. Effect of High Temperature-Pressure on Strain Relaxation in Thin Layers of Semiconductors Epitaxially Grown on GaAs and Si Substrates
Bak-Misiuk, J. ; Misiuk, A. ; Adamczewska, J. ; Calamiotou, M. ; Kozanecki, A. ; Kuristyn, D. ; Reginski, K. ; Kaniewski, J. ; Georgakilas, A.
出版情報: Atomistic aspects of epitaxial growth.  pp.467-476,  2002.  Dordrecht.  Kluwer Academic Publishers
シリーズ名: NATO science series. Series 2, Mathematics, physics and chemistry
シリーズ巻号: 65