1.

国際会議録
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1. Comparative study of near-threshold gain mechanisms in GaN epilayers and GaN/AlGaN separate confinement heterostructures
Bidnyk,S. ; Lam,J.B. ; Lfttle,B.D. ; Gainer,G.H. ; Kwon,Y.-H. ; Song,J.-J. ; Bulman,G.E. ; Kong,H.S.
出版情報: In-plane semiconductor lasers IV : 24-25 January 2000, San Jose, California.  pp.165-173,  2000.  Bellingham, Wash..  SPIE - The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 3947
2.

国際会議録
国際会議録
2. GaN homojunction and AlGaN/GaN heterojunction visible-blind photodiodes grown on SiC
Bulman,G.E. ; Kong,H.S. ; Leonard,M.T.
出版情報: Photodetectors : materials and devices V : 26-28 January 2000, San Jose, California.  pp.273-282,  2000.  Bellingham, Wash., USA.  SPIE - The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 3948
3.

国際会議録
国際会議録
3. InGaN/GaN MQW SCH lasers grown on SiC
Bulman,G.E. ; Doverspike,K. ; Haberern,K.W. ; Dieringer,H. ; Kong,H.S. ; Edmond,J.A. ; Song,Y.-K. ; Kuball,M. ; Nurmikko,A.V.
出版情報: In-plane semiconductor lasers III : 27-29 January 1999, San Jose, California.  pp.169-174,  1999.  Bellingham, Wash..  SPIE - The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 3628
4.

国際会議録
国際会議録
4. Growth of Thick Epitaxial 4H-SiC Layers by Chemical Vapor Deposition
Kordina,O. ; Irvine,K. ; Sumakeris,J. ; Kong,H.S. ; Paisley,M.J. ; ,C.H.Carter,Jr.
出版情報: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, ICSCIII-N'97 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Stockholm, Sweden, September 1997.  Part1  pp.107-110,  1998.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 264-268
5.

国際会議録
国際会議録
5. Nitride-Based Emitters on SiC Substrates
Edmond,J. ; Bulman,G. ; Kong,H.S. ; Leonard,M. ; Doverspike,K. ; Weeks,W. ; Niccum,J. ; Sheppard,S.T. ; Negley,G. ; Slater,D. ; Brown,J.D. ; Swindell,J.T. ; Overocker,T. ; Schetzina,J.F. ; Kuball,M. ; Nurmikko,A.
出版情報: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, ICSCIII-N'97 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Stockholm, Sweden, September 1997.  Part2  pp.1421-1424,  1998.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 264-268
6.

国際会議録
国際会議録
6. Optical Properties of Silicon Carbide:Some Recent Developments
Devaty,R.P. ; Choyke,W.J. ; Sridhara,S.G. ; Clemen,L.L. ; Nizhner,D.G. ; Larkin,D.J. ; Troffer,T. ; Pensl,G. ; Kimoto,T. ; Kong,H.S.
出版情報: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, ICSCIII-N'97 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Stockholm, Sweden, September 1997.  Part1  pp.455-460,  1998.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 264-268
7.

国際会議録
国際会議録
7. Boron Four Particle Acceptor Bound Exciton Complex in 4H SiC
Sridhara,S.G. ; Nizhner,D.G. ; Devaty,R.P. ; Choyke,W.J. ; Troffer,T. ; Pensl,G. ; Larkin,D.J. ; Kong,H.S.
出版情報: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, ICSCIII-N'97 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Stockholm, Sweden, September 1997.  Part1  pp.461-464,  1998.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 264-268
8.

国際会議録
国際会議録
8. InGaN/GaN lasers grown on SiC (Invited Paper)
Doverspike,K. ; Bulman,G.E. ; Sheppard,S.T. ; Kong,H.S. ; Leonard,M.T. ; Dieringer,H. ; Edmond,J.A. ; More,K.L. ; Song,Y.-K. ; Kuball,M. ; Nurmikko,A.V.
出版情報: In-Plane Semiconductor Lasers: from Ultraviolet to Mid-Infrared II.  pp.82-93,  1998.  Bellingham, Wash..  SPIE-The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 3284