1.

国際会議録
国際会議録
1. Studies on Carbon as Alternative p-Type Dopant for Gallium Nitride
Birkle, U. ; Fehrer, M. ; Kirchner, V. ; Einfeldt, S. ; Hommel, D. ; Strauf, S. ; Michler, P. ; Gutowski, J.
出版情報: GaN and related alloys : symposium held November 30-December 4, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.G5.6.1-,  1999.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 537
2.

国際会議録
国際会議録
2. MBE Growth of GaN on NdGaO3(101)
Fechtmann, C. ; Kirchner, V. ; Einfeldt, S. ; Heinke, H. ; Hommel, D. ; Lukasiewicz, T. ; Luczynski, Z. ; Baranowski, J.
出版情報: Nitride semiconductors : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.295-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 482
3.

国際会議録
国際会議録
3. Thermal expansion of GaN at low temperatures - a comparison of bulk and homo- and heteroepitaxial layers
Kirchner, V. ; Heinke, H. ; Einfeldt, S. ; Hommel, D. ; Domagala, J. Z. ; Leszczynski, M.
出版情報: GaN and related alloys - 1999 : symposium held November 28-December 3, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.W5.7.1-,  2000.  Warrendale, Pa..  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 595