1.

国際会議録
国際会議録
1. Electron Injection from GaN to SiC and Fabrication of GaN/SiC Heterojunction Bipolar Transistors
Suda, J. ; Nakano, Y. ; Shimada, S. ; Amari, K. ; Kimoto, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.1545-1548,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
2.

国際会議録
国際会議録
2. Kick-Out Phenomena in Epitaxially Boron- and Aluminum-Doped 4H-SiC during Implantation and Annealing Processes
Negoro, Y. ; Kimoto, T. ; Matsunami, H. ; Pensl, G.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.843-846,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
3.

国際会議録
国際会議録
3. Epitaxial Growth of 4H-SiC on 4o Off-Axis (0001) and (000-1) Substrates by Hot-Wall CVD
Wada, K. ; Kimoto, T. ; Nishikawa, K. ; Matsunami, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.219-222,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
4.

国際会議録
国際会議録
4. SiC Migration Enhanced Embedded Epitaxiat (ME3) Growth Technology
Takeuchi, Y. ; Kataoka, M. ; Kimoto, T. ; Matsunami, H. ; Malhan, R.K.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.251-254,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
5.

国際会議録
国際会議録
5. Deep Hole Traps in As-Grown 4H-SiC Epilayers Investigated by Deep Level Transient Spectroscopy
Danno, K. ; Kimoto, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.501-504,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
6.

国際会議録
国際会議録
6. Improved Dielectric ind Interface Properties of 4H-SiC MOS Structures Processed by Oxide Deposition and N2O Annealing
Kimoto, T. ; Kawano, H. ; Noborio, M. ; Suda, J. ; Matsunami, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.987-990,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
7.

国際会議録
国際会議録
7. Origin of Surface Morphological Defects in 4H-SiC Homoepitaxial Films
Okada, T. ; Okamoto, K. ; Ochi, K. ; Higashimine, K. ; Kimoto, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.399-402,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
8.

国際会議録
国際会議録
8. Strueiures of Comets in a Homoepitaxially Grown 4H-SiC Film Studied by DUV Micro-Raman Spectroscopy
Tomita, T. ; Matsuo, S. ; Okada, T. ; Kimoto, T. ; Mitani, T. ; Nakashima, S.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.339-342,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
9.

国際会議録
国際会議録
9. Reduction of Stacking Faults in Fast Epitaxial Growth of 4H-SiC and its Impacts on High-Voltage Schottky Diodes
Fujiwara, H. ; Kimoto, T. ; Tojo, T. ; Matsunami, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2004 : ECSCRM 2004 : proceedings of the 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, August 31 - September 4 2004, Bologna, Italy.  pp.151-154,  2005.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 483-485
10.

国際会議録
国際会議録
10. Midgap Levels in As-Grown 4H-SiC Epilayers Investigated by DLTS
Danno, K. ; Kimoto, T. ; Matsunami, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2004 : ECSCRM 2004 : proceedings of the 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, August 31 - September 4 2004, Bologna, Italy.  pp.355-358,  2005.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 483-485