1.

国際会議録
国際会議録
1. Enlargement of SiC Single Crystal: Enhancement of Lateral Growth using Tapered Graphite Lid
Bahng, W. ; Kitou, Y. ; Nishizawa, S. ; Yamaguchi, H. ; Khan, M. N. ; Oyanagi, N. ; Arai, K. ; Nishino, S.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.103-106,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(1)
2.

国際会議録
国際会議録
2. A NEW GENERALIZED EQUATION OF STATE FOR POLAR AND NONPOLAR FLIUDS
Khan, M. N. ; Chung, T. H. ; Lee, L. L. ; Starling, K. E.
出版情報: AIChE Spring Meeting, Houston - 3/27-3/31, 1983.  1983.  New York.  American Institute of Chemical Engineers
シリーズ名: AIChE meeting [papers]
シリーズ巻号: 1983
3.

国際会議録
国際会議録
3. Shape of SiC Bulk Single Crystal Grown by Sublimation
Nishizawa, S. ; Kitou, Y. ; Bahng, W. ; Oyanagi, N. ; Khan, M. N. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.99-102,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(1)
4.

国際会議録
国際会議録
4. Temperature Gradient Effect on SiC Epitaxy in Liquid Phase
Khan, M. N. ; Nishizawa, S. ; Bahng, W. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.233-236,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(1)