1.

国際会議録
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1. 0.13 μm CMOS Technology with Optimized Poly-Si/No-Oxide Gate Stack
Kubicek, S. ; Jansen, P. ; Badenes, G. ; Schaekers, M. ; Koldyaev, V. ; Deferm, L. ; De Meyer, K. ; Kerr, D. ; Naem, A.
出版情報: ULSI process integration : proceedings of the first international symposium.  pp.193-202,  1999.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-18
2.

国際会議録
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2. ANNEALING OF GROWN-IN DEFECTS IN GaAs
Dannefaer, S. ; Mascher, P. ; Kerr, D.
出版情報: Defects in electronic materials : symposium held November 30-December 3, 1987, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.471-474,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 104
3.

国際会議録
国際会議録
3. HEAT-TREATMENT INDUCED DEFECTS IN CZ-SILICON
Dannefaer, S. ; Bretagnon, T. ; Abdurahman, K. ; Kerr, D. ; Hahn, S.
出版情報: Defect engineering in semiconductor growth, processing and device technology : symposium held April 26-May 1, 1992, San Francisco, California, U.S.A..  pp.671-676,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 262
4.

国際会議録
国際会議録
4. DEFECTS IN CZ-SILICON INVESTIGATED BY THE POSITRON ANNIHILATION TEHCNIQUES
Dannefaer, S. ; Kerr, D.
出版情報: Microscopic identification of electronic defects in semiconductors : symposium held April 15-18, 1985, San Francisco, California, U.S.A..  pp.477-480,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 46
5.

国際会議録
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5. ELECTRON IRRADIATED InP: A POSITION ANNIHILATION STUDY
Bretagnon, T ; Dannefaer, S. ; Kerr, D.
出版情報: Defect engineering in semiconductor growth, processing and device technology : symposium held April 26-May 1, 1992, San Francisco, California, U.S.A..  pp.337-342,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 262