1.

国際会議録
国際会議録
1. *SIMULATION OF TEMPERATURE EFFECTRS DURING RAPID THERMAL PROCESSING
Kakoschke, R. ; Buβmann, E.
出版情報: Rapid thermal annealing/chemical vapor deposition and integrated processing : sympoisium held April 25-28, 1989, San Diego, California, U.S.A..  pp.473-482,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 146
2.

国際会議録
国際会議録
2. The Influence of Fluorine on Various MOS Devices
Innertsberger, G. ; Jurk, R. ; Felsner, J. ; Kakoschke, R. ; Yuwono, B. ; Schlosser, T. ; Krautschneider, W. ; Gschwandtner, A.
出版情報: Ultrathin SiO[2] and high-K materials for USLI gate dielectrics : symposium held April 5-8, 1999, in San Francisco, California, U.S.A..  pp.589-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 567
3.

国際会議録
国際会議録
3. *IS THERE A WAY TO A PERFECT RAPID THERMAL PROCESSING SYSTEM?
Kakoschke, R.
出版情報: Rapid thermal and integrated processing : symposium held April 30-May 3, 1991, Anaheim, California, U.S.A..  pp.159-170,  1991.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 224