1.

国際会議録
国際会議録
1. An Inserted Epitaxial Layer for SiC Single Crystal Growth by the Physical Vapor Transport Method
J.D. Seo ; J.H. An ; J.G. Kim ; J.K. Kim ; M.O. Kyun ; W.J. Lee ; I.S. Kim ; B.C. Shin ; K.R. Ku
出版情報: Silicon carbide and related materials 2006 : ECSCRM 2006, Proceedings of the 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Newcastle upon Tyne, UK, September 2006.  pp.9-12,  2007.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 556-557
2.

国際会議録
国際会議録
2. Hydrogen Effect on SiC Single Crystal Prepared by the Physical Vapor Transport Method
J.G. Kim ; J.H. An ; J.D. Seo ; J.K. Kim ; M.O. Kyun ; W.J. Lee ; I.S. Kim ; B.C. Shin ; K.R. Ku
出版情報: Silicon carbide and related materials 2006 : ECSCRM 2006, Proceedings of the 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Newcastle upon Tyne, UK, September 2006.  pp.25-28,  2007.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 556-557
3.

国際会議録
国際会議録
3. Quality Improvement of 4″ 4H-SiC Crystal by Using Modified Seed Adhesion Method
J.W. Choi ; J.H. Park ; J.D. Seo ; J.G. Kim ; M.O. Kyun ; K.R. Ku ; H.J. Kim ; D.H. Lee ; Y.S. Jang ; W.J. Lee
出版情報: Silicon Carbide and Related Materials 2016.  pp.11-14,  2017.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 897