1.

国際会議録
国際会議録
1. Microscopic Understanding of PBTI and NBTI Mechanisms in High-κ / Metal Gate Stacks
M. Sato ; K. Yamabe ; K. Shiraishi ; S. Miyazaki ; K. Yamada
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 5.  pp.615-627,  2007.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(4)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Failure Analysis of a SiC MOS Capacitor with a Poly-Si Gate Electrode
S. Sato ; K. Yamabe ; T. Endoh ; M. Niwa
出版情報: Silicon Carbide and Related Materials 2015 : [ICSCRM 2015] : selected, peer reviewed papers from the 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, October 4-9, 2015, Giardini Naxos, Italy.  pp.485-488,  2016.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 858
3.

国際会議録
国際会議録
3. Effect of Annealing on Electronic Characteristics of HfSiON Films fabricated by Damascene Gate Process
K. Yamabe ; K. Murata ; T. Hayashi ; T.C. Tamura ; M. Sato
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 6.  pp.521-526,  2008.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 16(5)
4.

国際会議録
国際会議録
4. Two-Dimensional Roughness Growth at Surface and Interface of SiO2 Films during Thermal Oxidation of 4H-SiC(0001)
R. Hasunuma ; T. Fukasawa ; R. Kosugi ; Y. Ishida ; K. Yamabe
出版情報: Silicon carbide and related materials 2011 : selected, peer reviewed papers from the 14th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2011 (ICSCRM 2011), September 11-16, 2011, Cleveland, Ohio, USA.  pp.785-788,  2012.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 717-720
5.

国際会議録
国際会議録
5. Asymmetric Distribution of Charge Trap in HfO₂-Based High-k Gate Dielectrics
K. Higuchi ; T. Naito ; A. Uedono ; K. Shiraishi ; K. Torii ; M. Boero ; T. Chikyow ; S. Yamosaki ; K. Yamada ; R. Hasumuma ; K. Yamabe
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.777-788,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
6.

国際会議録
国際会議録
6. Morphological Change in Surface and Interface during Ultrathin SiO₂ Film Growth
R. Hasunuma ; J. Okamoto ; N. Tokuda ; K. Yamabe
出版情報: Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface-5.  pp.255-266,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(1)
7.

国際会議録
国際会議録
7. NF3 Added Oxidation of 4H-SiC(0001) and Suppression of Interface Degradation
R. Hasunuma ; M. Nagoshi ; K. Yamabe
出版情報: Silicon carbide and related materials 2013 : selected, peer reviewed papers from the 15th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2013), September 29 - October 4, 2013, Miyazaki, Japan.  pp.619-622,  2014.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 778-780
8.

国際会議録
国際会議録
8. Vacancy-Type Defects in MOSFETs with High-κ Gate Dielectrics Probed by Monoenergetic Positron Beams
A. Uedono ; R. Hasunuma ; K. Shiraishi ; K. Yamabe ; S. Inumiya
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 5.  pp.81-90,  2007.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(4)
9.

国際会議録
国際会議録
9. Wide Controllability of Flatband Voltage in La₂O₃ Gate Stack Structures-Remarkable Advantages of La₂O₃ over HfO₂
K. Ohmori ; P. Ahmet ; K. Shiraishi ; K. Yamabe ; H. Watanabe ; Y. Akasaka ; N. Umezawa ; K. Nakajima ; M. Yoshitake ; T. Nakayama ; K. Chang ; K. Kakushima ; Y. Nara ; M. L. Green ; H. Iwai ; K. Yamada ; T. Cchikyow
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 4.  pp.351-362,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(3)
10.

国際会議録
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10. Extensive Studies for Effects of Nitrogen Incorporation into Hf-Based High-k Gate Dielectrics
N. Umezawa ; K. Shiraishi ; H. Watanabe ; K. Toni ; Y. Akasaka ; S. Inumiya ; M. Boero ; A. Uedono ; S. Miyazaki ; T. Ohno ; T. Chikyow ; K. Yamabe ; Y. Nara ; K. Yamada
出版情報: Dielectrics for nanosystems II: materials science, processing, reliability, and manufacturing.  pp.63-78,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 2(1)