1.

国際会議録
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1. Interlayer-Assisted Stability of Germanosilicide for Heavily-Doped n+-Si0.83Ge0.17 Grown by Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition
K. Shim ; A. Choi ; S. Choi ; H. Yang ; S. Kim
出版情報: SiGe and Ge, materials, processing, and devices.  pp.133-143,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(7)
2.

国際会議録
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2. Precise Analysis of Si/Graded-Si1-xGex/Si1-x/Gex Heterostructure Films Grown by Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition Using Spectroscopic Ellipsometry
K. Shim ; J.J. Seo ; S. Choi ; H. Yang ; J. Kim
出版情報: SiGe and Ge, materials, processing, and devices.  pp.231-242,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(7)
3.

国際会議録
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3. Inductively Coupled Ar/CCl2F4/Cl2 Plasma Etching of Ge
T. Kim ; S. Choi ; T. Jeong ; S. Kang ; K. Shim
出版情報: SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices.  pp.127-133,  2008.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 16(10)
4.

国際会議録
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4. Photocurrent of SiGe/Si Strained Multiple Quantum-Wells Grown by UHV-CVD
T. Kim ; S. Choi ; T. Jeong ; S. Kang ; K. Shim
出版情報: SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices.  pp.875-880,  2008.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 16(10)
5.

国際会議録
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5. New ArF resist introduction for process through-put enhancement
M. S. Kim ; H. Ryu ; H. Lee ; H. Kim ; K. Shim ; M. Gil ; H. Kang
出版情報: Advances in resist materials and processing technology XXIV.  2007.  Bellingham, Wash..  SPIE - The International Society of Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 6519