1.

国際会議録
国際会議録
1. Germanium Surface Cleaning with Hydrochloric Acid
J. Kim ; J. McVittie ; K. Saraswat ; Y. Nishi ; S. Liu
出版情報: SiGe and Ge, materials, processing, and devices.  pp.1191-1196,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(7)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Germanium MOSFETs for Nanoelectronics
K. Saraswat
出版情報: SiGe and Ge, materials, processing, and devices.  pp.817-821,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(7)
3.

国際会議録
国際会議録
3. High Performance, Ultra-thin, Strained-Ge, Heterostructure FETs With High Mobility And Low Leakage
T. Krishnamohan ; D. Kim ; Y. Nishi ; K. Saraswat ; C. Jungemann
出版情報: SiGe and Ge, materials, processing, and devices.  pp.687-695,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(7)
4.

国際会議録
国際会議録
4. Mobilty Modeling of Strained Germanium (s-Ge) Quantum Well (QW) Heterostructure pMOSFETs
T. Krishnamohan ; A. Pham ; C. Jungemann ; B. Meinerzhagen ; K. Saraswat
出版情報: SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices.  pp.397-403,  2008.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 16(10)
5.

国際会議録
国際会議録
5. Performance Evaluation of 15nm Gate Length Double-Gate n-MOSFETs with High Mobility Channels: III-V, Ge and Si
D. Kim ; T. Krishnamohan ; K. Saraswat
出版情報: SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices.  pp.47-55,  2008.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 16(10)
6.

国際会議録
国際会議録
6. Germanium for High Performance MOSFETs and Optical Interconnects
K. Saraswat ; D. Kim ; T. Krishnamohan ; D. Kuzum ; A.K. Okyay
出版情報: SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices.  pp.3-12,  2008.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 16(10)
7.

国際会議録
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7. STUDY OF GERMANIUM SURFACE IN WET CHEMICAL SOLUTIONS FOR SURFACE CLEANING APPLICATIONS
J. Kim ; K. Saraswat ; Y. Nishi
出版情報: Cleaning Technology in Semiconductor Device Manufacturing IX.  pp.214-219,  2006.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(3)
8.

国際会議録
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8. Geometry Dependence of Poly-Si Oxidation and its Application to Self-Align, Maskless Process for Nano-scale Vertical CMOS Structures
H. Cho ; P. Kapur ; P. Kalavade ; K. Saraswat
出版情報: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS 2: new materials, processes, and equipment.  pp.403-414,  2006.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(2)
9.

国際会議録
国際会議録
9. Defect Reduction of Ge on Si by Selective Epitaxy and Hydrogen Annealing
H. Yu ; J. Park ; A.K. Okyay ; K. Saraswat
出版情報: SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices.  pp.823-828,  2008.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 16(10)