1.

国際会議録
国際会議録
1. Influence of Trench Structure on Reverse Characteristics of 4H-SiC JBS Diodes
K. Konishi ; N. Kameshiro ; N. Yokoyama ; A. Shima ; Y. Shimamoto
出版情報: Silicon Carbide and Related Materials 2014 : Selected peer reviewed papers from the European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM 2014), September 21-25, 2014, Grenoble, France.  pp.596-599,  2015.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 821-823
2.

国際会議録
国際会議録
2. Numerical Study of Blood Flow in the Hepatic Portion of the Inferior Vena Cava
M. Matsubara ; M. Watanabe ; S. Watanabe ; K. Konishi ; M. Hashizume ; S. Yamaguchi
出版情報: ASME/JSME 2007 5th Joint Fluids Engineering Conference (FEDSM2007).  2A  pp.695-698,  2007.  New York.  American Society of Mechanical Engineers
シリーズ名: ASME Symposia Volumes
シリーズ巻号: FEDSM 2007(2A)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Driving Force of Stacking Fault Expansion in 4H-SiC PN Diode by In Situ Electroluminescence Imaging
K. Konishi ; S. Yamamoto ; S. Nakata ; Y. Toyoda ; S. Yamakawa
出版情報: Silicon carbide and related materials 2013 : selected, peer reviewed papers from the 15th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2013), September 29 - October 4, 2013, Miyazaki, Japan.  pp.342-345,  2014.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 778-780
4.

国際会議録
国際会議録
4. Investigation of Stacking Faults Affecting on Reverse Leakage Current of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes Using Device Simulation
J. Hasegawa ; K. Konishi ; Y. Nakamura ; K. Ohtsuka ; S. Nakata
出版情報: Silicon carbide and related materials 2013 : selected, peer reviewed papers from the 15th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2013), September 29 - October 4, 2013, Miyazaki, Japan.  pp.828-831,  2014.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 778-780
5.

国際会議録
国際会議録
5. Electrical Characteristics of Large Chip-Size 3.3 kV SiC-JBS Diodes
H. Okino ; N. Kameshiro ; K. Konishi ; N. Inada ; K. Mochizuki
出版情報: Silicon carbide and related materials 2012 : selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6,2012, St. Petersburg, Russian Federation.  pp.881-886,  2013.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 740-742
6.

国際会議録
国際会議録
6. Development of 25kW Class SOFC Module
K. Ikeda ; N. Hisatome ; K. Nagata ; D. Tsukamoto ; Y. Kawaguchi ; K. Kosaka ; N. Matake ; H. Sasatsu ; Y. Takahashi ; K. Konishi
出版情報: Solid oxide fuel cells 10 (SOFC-X).  pp.39-44,  2007.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 7(1)
7.

国際会議録
国際会議録
7. Modeling of Stacking Fault Expansion Velocity of Body Diode in 4H-SiC MOSFET
K. Konishi ; R. Fujita ; A. Shima ; Y. Shimamoto
出版情報: Silicon Carbide and Related Materials 2016.  pp.214-217,  2017.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 897
8.

国際会議録
国際会議録
8. 6.5 kV 4H-SiC PiN Diodes without Bipolar Degradation
Y. Bu ; H. Yoshimoto ; K. Konishi ; A. Shima ; Y. Shimamoto
出版情報: Silicon Carbide and Related Materials 2016.  pp.435-438,  2017.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 897
9.

国際会議録
国際会議録
9. 3.3 kV 4H-SiC DMOSFET with Highly Reliable Gate Insulator and Body Diode
A. Shima ; H. Shimizu ; Y. Mori ; M. Sagawa ; K. Konishi ; R. Fujita ; T. Ishigaki ; N. Tega ; K. Kobayashi ; S. Sato ; Y. Shimamoto
出版情報: Silicon Carbide and Related Materials 2016.  pp.493-496,  2017.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 897