1.

国際会議録
国際会議録
1. MeV ION BEAM APPLICATIONS IN III-V SEMICONDUCTORS
Elliman, R.G. ; Ridgway, M.C. ; Johnson, S.T. ; Williams, J.S.
出版情報: Long-wavelength semiconductor devices, materials, and processes : symposium held November 26-29, 1990, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.291-304,  1991.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 216
2.

国際会議録
国際会議録
2. USING RAPID THERMAL PROCESSING TO INDUCE EPITAXIAL ALIGNMENT OF POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS ON (100) SILICON
Harrison, H.B. ; Johnson, S.T. ; Komem, Y. ; Wong, C. ; Cohen, S.
出版情報: Materials issues in silicon integrated circuit processing : symposium held April 15-18, 1986, Palo Alto, California, U.S.A..  pp.455-458,  1986.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 71
3.

国際会議録
国際会議録
3. ION BEAM INDUCED AMORPHIZATION AND CRYSTALLIZATION PROCESSES IN SILICON AND GaAs
Elliman, R.G. ; Williams, J.S. ; Johnson, S.T. ; Nygren, E.
出版情報: Beam-solid interactions and transient processes : symposium held December 1-4, 1986, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.471-476,  1987.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 74
4.

国際会議録
国際会議録
4. BURIED AMORPHOUS LAYER IN GALLIUM ARSENIDE
Sengupta, D. ; Ridgway, M.C. ; Zemanski, J.M. ; Johnson, S.T.
出版情報: Impurities, defects, and diffusion in semiconductors : bulk and layered structures : symposium held November 27-December 1, 1989, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.975-978,  1990.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 163