1.

国際会議録
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1. THE BEHAVIOUR OF OXYGEN IN OXYGENATED N-TYPE HIGH-RESISTIVITY FLOAT-ZONE SILICON
Simoen, E. ; Claeys, C. ; Job, R. ; Ulyashin, A.G. ; Fahrner, W.R. ; Tonelli, G. ; Degryse, O. ; Clauws, P.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.912-924,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
2.

国際会議録
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2. THE BEHAVIOUR OF OXYGEN IN OXYGENATED N-TYPE HIGH-RESISTIVITY FLOAT-ZONE SILICON
Simoen, E. ; Claeys, C. ; Job, R. ; Ulyashin, A.G. ; Fahrner, W.R. ; Tonelli, G. ; Degryse, O. ; Clauws, P.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.912-926,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
3.

国際会議録
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3. Hydrogen Enhanced Thermal Donor Formation in p-Type Czochralski Silicon with a Denuded Zone
Ulyashin, U.G. ; Petlitskii, A.N. ; Job, R. ; Fahrner, W.R.
出版情報: Proceedings of the Fifth International Symposium on High Purity Silicon V.  pp.211-220,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-13
4.

国際会議録
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4. Direct Proof of Argon Atoms Incorporated Into High-Purity Silicon Single Crystals During Growth in Argon Gas Ambient
Ulyashin, A.G. ; Job, R. ; Fahrner, W.R. ; Mudryi, A.V. ; Patuk, Al. ; Shakin, I.A.
出版情報: High Purity Silicon VI : proceedings of the sixth International Symposium.  pp.66-76,  2000.  Bellingham, Wash..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-17
5.

国際会議録
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5. Bulk and Surface Properties of Cz Silicon After Hydrogen Plasma
Job, R. ; Ulyashin, AG. ; Fahrner, W.R. ; Markevich, V.P. ; Murin, LI. ; LindstrtSm, J.L. ; Raiko, V. ; Engemann, J.
出版情報: High Purity Silicon VI : proceedings of the sixth International Symposium.  pp.209-222,  2000.  Bellingham, Wash..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-17
6.

国際会議録
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6. A Two-Step Low-Temperature Process for p-n Junction Formation Due to Hydrogen-Enhanced Thermal Donor Formation in p-Type Czochralski Silicon
Job, R. ; Fahrner, W. R. ; Kazuchits, N. M. ; Ulyashin, A. G.
出版情報: Hydrogen in semiconductors and metals : symposium held April 13-17, 1998, San Francisco, California, U.S.A..  pp.337-,  1998.  Warrendale, Penn..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 513
7.

国際会議録
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7. Oxygen Gettering and Thermal Donor Formation at Postimplantation Annealing of Hydrogen-Implanted Czochralski Silicon
Ulyashin, A. G. ; Bumay, Yu. A. ; Fahrner, W. R. ; Ivanov, A. I. ; Job, R. ; Palmetshofer, L.
出版情報: Defects and diffusion in silicon processing : symposium held April 1-4, 1997, San Francisco, California, U.S.A..  pp.95-,  1997.  Pittsburg, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 469
8.

国際会議録
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8. The Conversion of Czochralski Silicon From p-Type to n-Type by Hydrogen Plasma-Enhanced Thermal Donor Formation
Job, R. ; Borchert, D. ; Bumay, Yu. A. ; Fahrner, W. R. ; Grabosch, G. ; Khorunzhii, I. A. ; Ulyashin, A. G.
出版情報: Defects and diffusion in silicon processing : symposium held April 1-4, 1997, San Francisco, California, U.S.A..  pp.101-,  1997.  Pittsburg, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 469
9.

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9. Temperature Sensor on Boron Ion Implanted Diamond
Job, R. ; Denisenko, A. V. ; Zaitsev, A. M. ; Werner, M. ; Melnikov, A. A. ; Fahrner, W. R.
出版情報: Diamond for electronic applications.  pp.249-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 416
10.

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10. Comparison of Oxygen and Hydrogen Gettering at High-Temperature Postimplantation Annealing of Hydrogen- and Helium-Implanted Czochralski Silicon
Job, R. ; Fahrner, W. R. ; Ivanov, A. I. ; Palmetshofer, L. ; Ulyashin, A. G.
出版情報: Defect and impurity engineered semiconductors, II : symposium held April 13-17, 1998, San Francisco, California, U.S.A..  pp.425-,  1998.  Warrendale, Pa.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 510