1.

国際会議録
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1. ROOM-TEMPERATURE CW OPERATION OF SQW LASERS ON Si GROWN WITH AlGaAs/AlGaP INTERMEDIATE LAYERS BY MOCVD
Egawa, T. ; Hayashi, H. ; George, T. ; Soga, T. ; Jimbo, T. ; Umeno, M.
出版情報: Materials for optical information processing : symposium held May 1-3, 1991, Anaheim, California, U.S.A..  pp.189-194,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 228
2.

国際会議録
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2. CORRELATIONS BETWEEN CRYSTALLINITY AND SCHOTTKY DIODE CHARACTERISTICS OF GaAs GROWN ON Si BY MOCVD
Egawa, T. ; Nozaki, S. ; Noto, N. ; Soga, T. ; Jimbo, T. ; Umeno, M.
出版情報: Chemistry and defects in semiconductor heterostructures.  pp.273-278,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 148
3.

国際会議録
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3. GaAs/AlGaAs SQW OPTICAL SWITCH ON Si
Yuasa, T. ; Nagashima, Y. ; Egawa, T. ; Jimbo, T. ; Umeno, M.
出版情報: Semiconductor heterostructures for photonic and electronic applications : symposium held November 30-December 4, 1992, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.363-368,  1993.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 281
4.

国際会議録
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4. HIGH QUALITY GaP GROWTH ON Si SUBSTRATES BY MOCVD
Uchida, K. ; Kohama, Y. ; Tajima, M. ; Soga, T. ; Jimbo, T. ; Umeno, M.
出版情報: Heteroepitaxy on silicon : fundamentals, structure, and devices : symposium held April 5-8, 1988, Reno, Nevada, U.S.A..  pp.319-324,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 116
5.

国際会議録
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5. Passivation of Defects in GaAs Grown on Low-Cost Substrate for Device Application
Soga, T. ; Jimbo, T. ; Umeno, M.
出版情報: Proceedings of the Eleventh International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices : (December 11-15, 2001).  VOL-2  pp.996-1001,  2002.  Bellingham, Wash..  SPIE-The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 4746
6.

国際会議録
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6. EVALUATION OF ANTI-PHASE BOUNDARIES IN GaAs/Si HEREROSTRUCTURES BY TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY
Ueda, O. ; Soga, T. ; Jimbo, T. ; Umeno, M.
出版情報: Chemistry and defects in semiconductor heterostructures.  pp.267-272,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 148
7.

国際会議録
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7. EFFECTS OF GROWTH TEMPERATURE ON MOCVD-GROWN GaAs-ON-Si
Nozaki, S. ; Noto, N. ; Okada, M. ; Egawa, T. ; Soga,. T ; Jimbo, T. ; Umeno, M.
出版情報: Chemistry and defects in semiconductor heterostructures.  pp.235-240,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 148
8.

国際会議録
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8. GROWTH OF GaAs ON Si USING A1GaP INTERMEDIATE LAYER
Noto, N. ; Nozaki, S. ; Egawa, T. ; Soga, T. ; Jimbo, T. ; Umeno, M.
出版情報: Chemistry and defects in semiconductor heterostructures.  pp.247-252,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 148
9.

国際会議録
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9. Characteristics of GaN Schottky Diode Grown on Sapphire Substrate by MOCVD
Egawa, T. ; Ishikawa, H. ; Yamamoto, K. ; Jimbo, T. ; Umeno, M.
出版情報: Nitride semiconductors : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.1101-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 482
10.

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10. 1MeV Electron Irradiation Effects of GaAs/Si Solar Cells
Chandrasekaran, N. ; Soga, T. ; Inuzuka, Y. ; Imaizumi, M. ; Taguchi, H. ; Jimbo, T.
出版情報: Materials for photovoltaics : symposium held November 29-December 2, 2004, Bostion, Massachusetts, U.S.A..  pp.241-248,  2005.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 836