1.

国際会議録
国際会議録
1. Atomistic Model of Transient-Enhanced Diffusion and Clustering of Boron in Silicon
Pelaz, L. ; Gilmer, G. H. ; Jaraiz, M. ; Gossmann, H-J. ; Rafferty, C. S. ; Eaglesham, D. J. ; Poate, J. M.
出版情報: Defects and diffusion in silicon processing : symposium held April 1-4, 1997, San Francisco, California, U.S.A..  pp.341-,  1997.  Pittsburg, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 469
2.

国際会議録
国際会議録
2. Ostwald Ripening of {113} Defects Precursors and Transient Enhanced Diffusion
Mannino, G. ; Cowern, N. E. B. ; Stolk, P. A. ; Roozeboom, F. ; Huizing, H. G. A. ; Berkum, J. G. M. van ; Boer, W. B. de ; Cristiano, F. ; Claverie, A. ; Jaraiz, M.
出版情報: Si front-end processing - physics and technology of dopant-defect interactions : symposium held April 6-9, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.163-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 568
3.

国際会議録
国際会議録
3. Atomic Scale Simulations of Arsenic Ion Implantation and Annealing in Silicon
Caturla, M. -J. ; Rubia, T. Diaz de la ; Jaraiz, M. ; Gilmer, G. H.
出版情報: Ion-solid interactions for materials modification and processing : symposium held November 27-December 1, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.45-,  1996.  Pittsburgh.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 396