1.

国際会議録
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1. EPITAXIAL GROWTH OF PEROVSKITE TYPE OXIDE FILMS ON Si SUBSTRATES
Ishiwara, H. ; Mori, H. ; Jyokyu, K. ; Ueno, S.
出版情報: Silicon molecular beam epitaxy : symposium held April 29-May 3, 1991, Anaheim, California, U.S.A..  pp.595-600,  1991.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 220
2.

国際会議録
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2. *LAYERED STRUCTURES COMPOSED OF Si, Ge, GaAs, AND FLUORIDES
Ishiwara, H. ; Asano, T. ; Tsutsui, K. ; Lee, H. C. ; Furukawa, S.
出版情報: Silicon-on-insulator and buried metals in semiconductors : symposium held November 30-December 3, 1987, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.241-252,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 107
3.

国際会議録
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3. RARE EARTH METAL OXIDES FOR HIGH-K GATE INSULATOR
Ohmi, S. ; Akama, S. ; Kikuchi, A. ; Kashiwagi, I. ; Ohshima, C. ; Taguchi, J. ; Yamamoto, H. ; Sato, K. ; Takeda, M. ; Ishiwara, H. ; Iwal, H.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.376-387,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
4.

国際会議録
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4. Enhanced Short-Channel Effects of Sub-50 nm Gate Length MOSFETs with High-k Gate Insulator Films
Fujimura, R. ; Takeda, M. ; Sato, K. ; Ohmi, S.-I. ; Ishiwara, H. ; Iwai, H.
出版情報: ULSI Process Integration : proceedings of the International Symposium.  pp.313-323,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-2
5.

国際会議録
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5. *HETEROEPITAXIAL Si-, Ge-, AND GaAs-ON-INSULATOR STRUCTURES ON Si SUBSTRATES BY USE OF FLOURIDE INSULATORS
Asano, T. ; Ishiwara, H. ; Furukawa, S.
出版情報: Heteroepitaxy on silicon II : symposium held April 21-23, 1987, Anaheim, California, U.S.A..  pp.337-348,  1987.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 91
6.

国際会議録
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6. HETEROEPITAXY OF Si, Ge, AND GaAS FILMS ON CaF2/Si STRUCTURES
Ishiwara, H. ; Asano, T. ; Lee, H.C. ; Kuriyama, Y. ; Seki, K. ; Furukawa, S.
出版情報: Heteroepitaxy on silicon : symposium held April 16-18, 1986, Palo Alto, California, U.S.A..  pp.105-114,  1986.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 67
7.

国際会議録
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7. CONTROL OF THE INITIAL STAGE OF Ge OVERGROTH ON CaF2/Si STRUCTURE BY ELECTRON BEAM EXPOSURE
Kanemaru, S. ; Ishiwara, H. ; Furukawa, S.
出版情報: Initial stages of epitaxial growth : symposium held April 22-24, 1987, Anaheim, California, U.S.A..  pp.71-76,  1987.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 94
8.

国際会議録
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8. EXPITAXIAL RELATIONS IN FLUORIDE FILMS GROWN ON GaAs (111) AND Ge (111) SUBSTRATES
Tsutsui, K. ; Ishiwara, H. ; Asano, T. ; Furukawa, S.
出版情報: Thin films : the relationship of structure to properties : symposium held April 15-17, 1985, San Francisco, California, U.S.A..  pp.93-98,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 47
9.

国際会議録
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9. *FORMATION OF GaAs OHMIC CONTACTS BY USING ION BEAM MIXING
Furukawa, S. ; Asano, T. ; Fukada, T. ; Ishiwara, H. ; Tsutsui, K.
出版情報: Thin films : interfaces and phenomena : symposium held December 2-6, 1985, Boston, Massachusetts, USA.  pp.207-214,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 54
10.

国際会議録
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10. Preparation and Characterization of Bi2VO5.5 Films by MOD Method
Tokumitsu, E. ; Takahashi, Y. ; Ishiwara, H.
出版情報: Ferroelectric thin films VII : symposium held November 30-December 3, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.555-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 541