1.

国際会議録
国際会議録
1. Relaxation Mechanisms of Strained SiGe Films Bonded to High and Low Viscosity Oxides
Hobart, K.D. ; Kub, F.J. ; Fatemi, M. ; Twigg, M.E. ; Thompson, P.E. ; Kuan, T.S. ; Inoki, C.K.
出版情報: Semiconductor wafer bonding : science, technology, and applications : proceedings of the international symposia.  pp.85-91,  1999.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-35
2.

国際会議録
国際会議録
2. Combined MOCVD and MBE Growth of GaN on Porous SiC
Sagar, Ashutosh ; Feenstra, R.M. ; Inoki, C.K. ; Kuan, T.S. ; Koleske, D.D.
出版情報: GaN and related alloys - 2003 : symposium held December 1-5, 2003, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.409-414,  2004.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 798
3.

国際会議録
国際会議録
3. Growth of GaN on Porous SiC Substrates by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
Inoki, C.K. ; Kuan, T.S. ; Lee, C.D. ; Sagar, Ashutosh ; Feenstra, R.M.
出版情報: Materials and devices for optoelectronics and microphotonics : symposium held April 1-5, 2002, San Francisco, California, U.S.A..  pp.21-26,  2002.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 722
4.

国際会議録
国際会議録
4. Microstructure and Optical Properties of GaN Films Grown on Porous SiC Substrate By MBE
Yun, F. ; Reshchikov, M.A. ; He, L. ; King, T. ; Huang, D. ; Morkoc, H. ; Inoki, C.K. ; Kuan, T.S.
出版情報: Defect and impurity engineered semiconductors and devices III : symposium held April 1-5, 2002, San Francisco, California, U.S.A..  pp.17-22,  2002.  Warrendale, Pa.  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 719