1.

国際会議録
国際会議録
1. Deposition and Treatment of TiO2 as an Alternative for Ultrathin Gate Dielectrics
Ma, Y. ; Ono, Y. ; Hsu, S. T.
出版情報: Ultrathin SiO[2] and high-K materials for USLI gate dielectrics : symposium held April 5-8, 1999, in San Francisco, California, U.S.A..  pp.355-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 567
2.

国際会議録
国際会議録
2. Prevention of Corner Voiding in Selective CVD Deposition of Titanium Silicide on SOI Device
Maa, J-S. ; Ulrich, B. ; Stecker, L. ; Stecker, G. ; Hsu, S. T.
出版情報: Advanced interconnects and contacts : symposium held April 5-7, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.29-,  1999.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 564
3.

国際会議録
国際会議録
3. MOCVD Process of Ferroelectric Lead Germanate Thin Films and Bottom Electrode Effects
Zhang, F. ; Li, T. ; Nguyen, T. ; Hsu, S. T.
出版情報: Ferroelectric thin films VII : symposium held November 30-December 3, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.549-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 541
4.

国際会議録
国際会議録
4. Ferroelectric C-Axis Oriented Pb5Ge3O11 Thin Films for One Transistor Memory Application
Li, T. ; Zhang, F. ; Hsu, S. T.
出版情報: Ferroelectric thin films VII : symposium held November 30-December 3, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.579-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 541
5.

国際会議録
国際会議録
5. MFMOS capacitor with Pb5Ge3O11 thin film for one transistor ferroelectric memory applications
Li, T. K. ; Hsu, S. T. ; Lee, J. J. ; Gao, H. F. ; Engelhard, M.
出版情報: Ferroelectric thin films VIII : symposium held November 29-December 2, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.443-,  2000.  Warrendale, PA.  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 596
6.

国際会議録
国際会議録
6. Evaluation of LPCVD Boron Nitride as a Low Dielectric Constant Material
Levy, R. A. ; Narayan, M. ; Karim, M. Z. ; Hsu, S. T.
出版情報: Advanced metallization for future ULSI : symposium held April 8-11, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.469-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 427
7.

国際会議録
国際会議録
7. Relaxation of SiGe Films for the Fabrication of Strained Si Devices
Maa, J. S. ; Tweet, D. J. ; Lee, J. J. ; Hsu, S. T. ; Fujii, K. ; Naka, T. ; Ueda, T. ; Baba, T. ; Awaya, N. ; Sakiyama, K.
出版情報: Intergration of heterogeneous thin-film materials and devices : symposium held April 23-24, 2003, San Francisco, California, U.S.A..  pp.3-8,  2003.  Warrendale, PA.  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 768
8.

国際会議録
国際会議録
8. Relaxation of SiGe Films for the Fabrication of Strained Si Devices
Maa, J. S. ; Tweet, D. J. ; Lee, J. J. ; Hsu, S. T. ; Fujii, K. ; Naka, T. ; Ueda, T. ; Baba, T. ; Awaya, N. ; Sakiyama, K.
出版情報: CMOS front-end materials and process technology : symposium held April 22-24, 2003, San Francisco, California, U.S.A..  pp.135-140,  2003.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 765
9.

テクニカルペーパー
テクニカルペーパー
9. Reduction of unsteady blade loading by beneficial use of vortical and potentioal disturbances in an axial compressor with rotor clocking
Hsu, S. T. ; Wo, Andrew M.
出版情報: A.S.M.E. paper.  1997.  New York.  The American Society of Mechanical Engineers
シリーズ名: ASME Technical Paper : GT
シリーズ巻号: 1997