1.

国際会議録
国際会議録
1. Dry Etch and Process Integration: Development of 0.18 μm Production DRAM Process
Donohoe, K.G. ; Howard, B.J. ; Hillyer, L.
出版情報: ULSI process integration : proceedings of the first international symposium.  pp.345-346,  1999.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-18
2.

国際会議録
国際会議録
2. Experimental Study of Geometry Structure Dependent Charging of the Dielectric Surface during Plasma Etching
Abatchev, M.K. ; Howard, B.J. ; Donohoe, K.G. ; Blalock, G.T.
出版情報: Plasma processing XIII : proceedings of the international symposium.  pp.160-167,  2000.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-6
3.

国際会議録
国際会議録
3. REACTIVE ION ETCHING OF COPPER WITH SiCl4 AND CCl2F2
Howard, B.J. ; Wolterman, S.K. ; Yoo, W.J. ; Gittleman, B. ; Steinbruchel, Ch.
出版情報: Surface chemistry and beam-solid interactions : symposium held November 26-29, 1990, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.129-134,  1991.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 201