1.

国際会議録
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1. FIRST PRINCIPLE CALCULATIONS FOR NITROGEN- VACANCY RELATED DEFECTS IN NITROGEN DOPED SILICON; STRUCTURE, ENERGETICS AND THERMAL STABILITY
Karoui, A. ; Karoui, F.S. ; Rozgonyi, G.A. ; Hourai, M. ; Sueoka, K.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.670-681,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
2.

国際会議録
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2. INVITED: NATURE AND GENERATION OF GROWN-IN DEFECTS IN CZOCHRALSKI SILICON CRYSTALS
Hourai, M. ; Nishikawa, H. ; Tanaka, T. ; Umeno, S. ; Asayama, E. ; Nomachi, T. ; Kelly, G.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.453-467,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(1)
3.

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3. OBSERVATION OF RING-OSF NUCLEI IN CZ-Si USING SHORT TIME ANNEALING AND IR LIGHT SCATTERING TOMOGRAPHY
Marsden, K. ; Sadamitsu, S. ; Hourai, M. ; Sumita, S. ; Shigematsu, T.
出版情報: Proceedings of the Seventh International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.684-694,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-10
4.

国際会議録
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4. OXYGEN PRECIPITATION BEHAVIOR IN SILICON DURING CZOCHRALSKI CRYSTAL GROWTH
Hourai, M. ; Nagashima, T. ; Kajita, E. ; Miki, S. ; Sumita, S. ; Sano, M. ; Shigematsu, T.
出版情報: Proceedings of the Seventh International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.156-167,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-10
5.

国際会議録
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5. RADIAL DISTRIBUTION OF THERMALLY-INDUCED DEFECTS IN HEAVILY BORON-DOPED SILICON WAFERS
Asayama, E. ; Ono, T. ; Takeshita, M. ; Hourai, M. ; Sano, M. ; Tsuya, H.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.546-556,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(1)
6.

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6. EFFECT OF HEAVY BORON DOPING ON OXIDE PRECIPITATE GROWTH IN CZOCHRALSKI SILICON
Ono, T. ; Asayama, E. ; Horie, H. ; Hourai, M. ; Sueoka, K. ; Tsuya, H. ; Rozgonyi, G.A.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.1113-1125,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(2)
7.

国際会議録
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7. Control of Grown-in Defects in Czochralski Silicon Crystals
Hourai, M. ; Kelly, G.P. ; Tanaka, T. ; Umeno, S. ; Ogushi, S.
出版情報: Proceedings of the Third International Symposium on Defects in Silicon.  pp.372-385,  1999.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-1
8.

国際会議録
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8. Investigation of the Effect of Thermal History on Ring-OSF Formation in CZ-Silicon Crystals
Kelly, G. P. ; Hourai, M. ; Umeno, S. ; Sano, M. ; Tsuya, H.
出版情報: Defect and impurity engineered semiconductors, II : symposium held April 13-17, 1998, San Francisco, California, U.S.A..  pp.21-,  1998.  Warrendale, Pa.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 510
9.

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9. INFLUENCE OF GROWN - IN DEFECTS IN CZ CRYSTAL ON GATE OXIDE INTEGRITY
Sano, M. ; Hourai, M. ; Sumita, S. ; Shigematsu, T.
出版情報: Proceedings of the Satellite Symposium to ESSDERC 93 Grenoble/France : crystalline defects and contamination: their impact and control in device manufacturing.  pp.3-15,  1993.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1993-15
10.

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10. FIRST PRINCIPLE CALCULATIONS FOR NITROGEN- VACANCY RELATED DEFECTS IN NITROGEN DOPED SILICON; STRUCTURE, ENERGETICS AND THERMAL STABILITY
Karoui, A. ; Karoui, F.S. ; Rozgonyi, G.A. ; Hourai, M. ; Sueoka, K.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.670-681,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2