1.

国際会議録
国際会議録
1. High Quality Silicon Oxide Deposited with A Multipolar Electron Cyclotron Resonance Plasma Source
Isai, G. ; Kovalgin, A. ; Holleman, J. ; Woerlee, P. ; Wallinga, H.
出版情報: Thin Film Transistor Technologies V : proceedings of the International Symposium.  pp.169-175,  2000.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-31
2.

国際会議録
国際会議録
2. Electrical Properties of Room Temperature SiO2 Deposited by a Combination of Jet Vapor and Multipolar Electron Cyclotron Resonance Plasma
Isal, G. ; Kovalgin, A. ; Holleman, J. ; Woerlee, P. ; Wallinga, H.
出版情報: Thin Film Transistor Technologies VI : proceedings of the international symposium.  pp.190-197,  2002.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-23
3.

国際会議録
国際会議録
3. Low-Pressure CVD of Germanium-Silicon Films Using Silane and Germane Sources
Kovalgin, A. ; Holleman, J. ; Saim, C. ; Woerlee, P.
出版情報: Thin Film Transistor Technologies V : proceedings of the International Symposium.  pp.269-275,  2000.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-31
4.

国際会議録
国際会議録
4. LPCVD Conditions Generating an Intense Homogeneous Decomposition of Silane in the Temperature Range of 500-630℃
Cobianu, C. ; Cosmin, P. ; Plugaru, R. ; Dascalu, D. ; Holleman, J.
出版情報: Proceedings of the Thirteenth International Symposium on Chemical Vapor Deposition.  pp.300-305,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-5
5.

国際会議録
国際会議録
5. Optimization of Si and GeSi Crystallization with Furnace and Rapid Thermal Anneals for Thin Film Transistors
Rem, J.B. ; de Leuw, M.C.V. ; Holleman, J. ; Verweij, J.F.
出版情報: Proceedings of the Third Symposium on Thin Film Transistor Technologies.  pp.197-205,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-23
6.

国際会議録
国際会議録
6. High-Rate a-Si:H for TFTs: A Comparative Study
Meiling, H. ; van der Weg, W.F. ; Schropp, R.E.I. ; Holleman, J.
出版情報: Proceedings of the Third Symposium on Thin Film Transistor Technologies.  pp.146-157,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-23
7.

国際会議録
国際会議録
7. Physical Properties of SiO2 Layers Deposited at Room Temperature by a Combination of ECR Plasma and High-Speed Jet of Silane
Isai, G. ; Holleman, J. ; Woerlee, P. ; Wallinga, H. ; Modreanu, M. ; Cobianu, C.
出版情報: Chemical vapor deposition XVI and EUROCVD 14 : proceedings of the international symposium.  pp.609-616,  2003.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-8
8.

国際会議録
国際会議録
8. Low-Power Micro-Scale CMOS-Compatible Silicon Sensor on a Suspended Membrane
Kovalgin, A. Y. ; Holleman, J. ; lordache, G. ; Jenneboer, T. ; Falke, F. ; Zieren, V. ; Goossens, M.
出版情報: Microfabricated systems and MEMS VII : proceedings of the international symposium.  pp.173-183,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-09
9.

国際会議録
国際会議録
9. Contribution of Gas Phase Reactions to the Growth Rate of LPCVD Silicon Films in the Temperature Range from 500 to 550℃
Cobianu, C. ; Cosmin, P. ; Modreanu, M. ; Dascalu, D. ; Holleman, J.
出版情報: Chemical vapor deposition : proceedings of the Fourteenth International Conference and EUROCVD-11.  pp.65-72,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-25
10.

国際会議録
国際会議録
10. Hot-Wire Deposited Amorphous Silicon Thin-Film Transistors
Schropp, R. E. I. ; Feenstra, K. F. ; Werf, C. H. M. van der ; Holleman, J. ; Meiling, H.
出版情報: Amorphous silicon technology, 1996 : symposium held April 8-12, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.109-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 420