1.

国際会議録
国際会議録
1. The Double-Faced DX Center in AlXGa1-xAS
Henning,J.C.M. ; Montie,E.A. ; Ansems,J.P.M.
出版情報: Proceedings of the 15th International Conference on Defects in Semiconductors : Budapest, Hungary, August 22-26, 1988.  Part3  pp.1085-1090,  1989.  Aederlmannsdorf, Switzwelns.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 38-41
2.

国際会議録
国際会議録
2. Luminescence of a Delta Doping Related Exciton in GaAs:Si
Henning,J.C.M. ; Kessener,Y.A.R.R. ; Koenraad,P.M. ; Leys,M.R. ; Vleuten,W.C.van der ; Wolter,J.H. ; Frens,A.M.
出版情報: Proceedings of the 17th International Conference on Defects in Semiconductors : ICDS-17, Gmunden, Austria, July 18-23, 1993.  Pt.1  pp.653-656,  1994.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 143-147