1.

国際会議録
国際会議録
1. Vapor Phase Epitaxy of GaN Using Gallium Tri-Chloride and Ammonia
Yuri, M. ; Ueda, T. ; Lee, H. ; Itoh, K. ; Baba, T. ; Harris, J. S., Jr.
出版情報: Compound semiconductor electronics and photonics : symposium held April 8-10, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.195-,  1996.  Pittsburgh, Penn.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 421
2.

国際会議録
国際会議録
2. Atomic Force Microscope Chemically Induced Direct Processing
Shimbo, B. N. ; Komarov, S. ; Vartanian, B. J. ; Okada, Y. ; Harris, J. S., Jr.
出版情報: Compound semiconductor electronics and photonics : symposium held April 8-10, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.299-,  1996.  Pittsburgh, Penn.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 421
3.

国際会議録
国際会議録
3. Growth of GaAs and InAlAs on High Quality, Epitaxial, NiAl Metal Film
Hung, C. -Y. ; Weckwerth, M. V. ; Visokay, M. R. ; Pao, Y. C. ; Harris, J. S., Jr.
出版情報: Evolution of epitaxial structure and morphology : symposium held November 27-December 1, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.537-,  1996.  Pittsburgh, Pennsylvania.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 399
4.

国際会議録
国際会議録
4. Time Dependence of Arsenic Precipitates' Size Distribution in Low-Temperature GaAs
Hung, C. Y. ; Harris, J. S., Jr. ; Marshall, A. F. ; Kiehl, R. A.
出版情報: Diffusion mechanisms in crystalline materials : symposium held April 13-16, 1998, San Francisco, California, U.S.A..  pp.407-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 527
5.

国際会議録
国際会議録
5. Optical Properties and Morphology of GaN Grown by MBE on Sapphire Substrates
Tuncel, E. ; Oberman, D. B. ; Lee, H. ; Ueda, T. ; Harris, J. S., Jr.
出版情報: III-Nitride, SiC, and Diamond Materials for Electronic Devices : symposium held April, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.681-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 423
6.

国際会議録
国際会議録
6. Growth of Epitaxial GaN Films Using ZnO Buffer Layer by Pulsed Laser Deposition
Huang, T. F. ; Tuncel, E. ; Yeo, J. S. ; Harris, J. S., Jr.
出版情報: Compound semiconductor electronics and photonics : symposium held April 8-10, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.389-,  1996.  Pittsburgh, Penn.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 421
7.

国際会議録
国際会議録
7. Defect Studies in n-Type GaN Grown by Molecular Beam Epitaxy
Gotz, W. ; Oberman, D. B. ; Harris, J. S., Jr.
出版情報: Defect and impurity engineered semiconductors and devices : symposium held April 17-21, 1995, San Francisco, California, U.S.A..  pp.527-,  1995.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 378
8.

国際会議録
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8. Epitaxial Multilayers of (Sr,Ba)Nb2O6 and Conducting Films on (001) MgO Substrates
Huang, T. F. ; Youden, K. E. ; Thony, S. Schwyn ; Hesselink, L. ; Harris, J. S., Jr.
出版情報: Film synthesis and growth using energetic beams : symposium held April 17-20, 1995, San Francisco, California, U.S.A..  pp.79-,  1995.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 388