1.

国際会議録
国際会議録
1. Vacancies in Electron Irradiated 6H Silicon Carbide Studied by Positron Annihilation Spectroscopy
Lam, C.H. ; Ling, C.C. ; Beling, C.D. ; Fung, S. ; Weng, H.M ; Hang, D.S.
出版情報: Radiation effects and ion-beam processing of materials : symposium held December 1-5, 2003, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.255-260,  2004.  Warrendale, PA.  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 792
2.

国際会議録
国際会議録
2. Undoped Gallium Antimonide Studied by Positron Annihilation Spectroscopy
Ma, S.K. ; Ling, C.C. ; Weng, H.M. ; Hang, D.S.
出版情報: Progress in compound semiconductor materials -- electronic and optoelectronic applications.  pp.65-70,  2004.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 799
3.

国際会議録
国際会議録
3. Identities of the Deep Level Defects E1/E2 in 6H Silicon Carbide
Ling, C.C. ; Chen, X.D. ; Gong, M. ; Weng, H.M. ; Hang, D.S. ; Beling, C.D. ; Fung, S. ; Lam, T.W. ; Lam, C.H.
出版情報: Positron annihilation ICPA-13 : proceedings of the 13th International Conference on Positron Annihilation, Kyoto, Japan, September 2003.  pp.135-137,  2004.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 445-446