1.

国際会議録
国際会議録
1. 4H-SiC Planar MESFETs on High-Purity Semi-Insulating Substrates
J.H. Yim ; H.K. Song ; J.H. Moon ; H.S. Seo ; J.H. Lee ; H.J. Na ; J.B. Lee ; H.J. Kim
出版情報: Silicon carbide and related materials 2006 : ECSCRM 2006, Proceedings of the 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Newcastle upon Tyne, UK, September 2006.  pp.763-766,  2007.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 556-557
2.

国際会議録
国際会議録
2. Electrical Properties of Atomic-Layer-Deposited La2O3/Thermal-Nitrided SiO2 Stacking Dielectric on 4H-SiC(0001)
J.H. Moon ; K.Y. Cheong ; D.I. Eom ; H.K. Song ; J.H. Yim ; J.H. Lee ; H.J. Na ; W. Bahng ; N.K. Kim ; H.J. Kim
出版情報: Silicon carbide and related materials 2006 : ECSCRM 2006, Proceedings of the 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Newcastle upon Tyne, UK, September 2006.  pp.643-646,  2007.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 556-557
3.

国際会議録
国際会議録
3. Homoepitaxial Growth of Vanadium-Doped 4H-SiC Using Bis-Trimethylsilylmethane and Verrocene Precursors
H.K. Song ; H.S. Seo ; J.H. Moon ; J.H. Yim ; J.H. Lee ; S.Y. Kwon ; H.J. Na ; H.J. Kim
出版情報: Silicon carbide and related materials 2006 : ECSCRM 2006, Proceedings of the 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Newcastle upon Tyne, UK, September 2006.  pp.113-116,  2007.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 556-557