1.

国際会議録
国際会議録
1. The Profile Control of n-type Doping in Low and High Temperature Si Epitaxy for High Frequency Bipolar Transistors
Radamson, H.H. ; Mohadjeri, B. ; Malm, B.G. ; Grahn, J.V. ; Oestling, M. ; Landgren, G.
出版情報: CVD XV, proceedings of the fifteenth International Symposium on Chemical Vapor Deposition.  pp.427-434,  2000.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-13
2.

国際会議録
国際会議録
2. Loading Effects during Non-Selective Epitaxial Growth of Si and SiGe
Peinejori, I. ; Zhang, S.-L. ; Grahn, J.V. ; OEstling, M.
出版情報: CVD XV, proceedings of the fifteenth International Symposium on Chemical Vapor Deposition.  pp.403-410,  2000.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-13