1.

国際会議録
国際会議録
1. Diffusion of Si Self-Interstitials in the Presence of Carbon-Related Interstitial Traps
Gossman, H.-J. ; Stolk, P.A. ; Eaglehsam, D.J. ; Gilmer, G.H. ; Poate, J.M.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on Process Physics and Modeling in Semiconductor Technology.  pp.64-74,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-4
2.

国際会議録
国際会議録
2. The Effect of TiSi2 Film Thickness and Growth on the Point Defect Perturbance in Si
Hemer, S.B. ; Jones, K.S. ; Gossman, H.-J. ; Tung, R.T. ; Poate, J.M. ; Luftman, H.S.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on Process Physics and Modeling in Semiconductor Technology.  pp.337-347,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-4
3.

国際会議録
国際会議録
3. INITIAL STAGES OF INTERFACE FORMATION IN THE Si/Sn SYSTEM
Zinke-Allmang, M. ; Gossman, H.-J. ; Feldman, L.C. ; Fisanick, G.J.
出版情報: Interfaces, superlattices, and thin films : symposium held December 1-6, 1986, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.703-708,  1987.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 77
4.

国際会議録
国際会議録
4. *STRAINED LAYER SEMICONDUCTOR FILMS: STRUCTURE AND STABILITY
Feldman, L. C. ; Bevk, J. ; Davidson, B. A. ; Gossman, H.-J. ; Ourmazd, A. ; Pearsall, T. P. ; Zinke-Allmang, M.
出版情報: Epitaxy of semiconductor layered structures : symposium held November 30-December 4, 1987, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.405-412,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 102