1.

国際会議録
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1. MECHANISM OF Cr DIFFUSION IN GaAs
Yu, S. ; Tan, T. Y. ; Gosele, U.
出版情報: Advanced III-V compound semiconductor growth, processing and devices : symposium held Decmber[i.e. December] 2-5, 1991, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.747-758,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 240
2.

国際会議録
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2. DETERMINATION OF Ga SELF-DIFFUSION COEFFICIENT IN GaAs
Tan, T. Y. ; Yu, S. ; Gosele, U.
出版情報: Advanced III-V compound semiconductor growth, processing and devices : symposium held Decmber[i.e. December] 2-5, 1991, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.739-746,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 240
3.

国際会議録
国際会議録
3. Highly Ordered Alumina Films: Pore Growth and Applications
Wehrspohn, R.B. ; Li, A.-P. ; Nielsch, K. ; Muller, F. ; Erfurth, W. ; Gosele, U.
出版情報: Oxide Films : proceedings of the International Symposium.  pp.271-282,  2000.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-4
4.

国際会議録
国際会議録
4. PORE FORMATION AND PROPAGATION MECHANISM IN POROUS SILICON
Lehmann, V. ; Cerva, H. ; Gosele, U.
出版情報: Light emission from silicon : symposium held December 3-5, 1991, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.3-6,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 256
5.

国際会議録
国際会議録
5. ENHANCED CARBON DIFFUSION IN SILICON DURING 900 C ANNEALING
Ladd, L. A. ; kalejs, J. P. ; Gosele, U.
出版情報: Impurity diffusion and gettering in silicon : symposium held November 27-30, 1984, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.89-94,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 36
6.

国際会議録
国際会議録
6. FORMATION MECHANISM OF MICROPOROUS SILICON: PREDICTIONS AND EXPERIMENTAL RESULTS
Lehmann, V. ; Gosele, U.
出版情報: Microcrystalline semiconductors : materials science & devices : symposium held November 30-December 4, 1992, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.27-32,  1993.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 283
7.

国際会議録
国際会議録
7. EFFECT OF CONCENTRATION GRADIENT ON PHASE STABILITY
Tu, K. N. ; Gosele, U.
出版情報: Alloy phase diagrams : symposium held November 1982 in Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.375-376,  1983.  New York.  North-Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 19
8.

国際会議録
国際会議録
8. THERMAL DONOR FORMATION BY THE AGGLOMERATION OF OXYGEN IN SILICON
Gosele, U. ; Tan,. T. Y.
出版情報: Defects in semiconductors II : symposium held November 1982 in Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.153-158,  1983.  New York.  North-Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 14
9.

国際会議録
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9. MECHANISMS OF DOPING-ENHANCED SUPERLATTICE DISORDERING AND OF GALLIUM SELF-DIFFUSION IN GaAs
Tan, T. Y. ; Gosele, U. ; Marioton, B. P. R.
出版情報: Defects in electronic materials : symposium held November 30-December 3, 1987, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.605-612,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 104
10.

国際会議録
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10. *Domain imaging, polarization hysteresis, and switching in nano-size ferroelectric structures
Harnagea, C. ; Pignolet, A. ; Alexe, M. ; Hesse, D. ; Gosele, U.
出版情報: Ferroelectric thin films VIII : symposium held November 29-December 2, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.351-,  2000.  Warrendale, PA.  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 596