1.

国際会議録
国際会議録
1. On the origin of yellow donor-acceptor pair emission iu GaN
Godlewski,M. ; Ivanov,V.Yu. ; Kaminska,A. ; Zuo,H.Y. ; Goldys,E.M. ; Tansley,T.L. ; Barski,A. ; Rossner,U. ; Rouvicre,J.L. ; Arlery,M. ; Grzegory,I. ; Suski,T. ; Porowski,S. ; Bergman,J.P.
出版情報: Defects in semiconductors, icds-19 : proceedings of the 19th International Conference on Defects in Semiconductors, Aveiro, Portugal, July 1997.  Part2  pp.1149-1154,  1997.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 258-263
2.

国際会議録
国際会議録
2. Role of localization effects in GaN and InGaN
Godlewski,M. ; Goldys,E.M.
出版情報: Smart optical inorganic structures and devices : 16-19 August 2000, Vilnius, Lithuania.  pp.99-108,  2000.  Bellingham, Washington.  SPIE-The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 4318
3.

国際会議録
国際会議録
3. Low Temperature Growth of Gallium Nitride on Quartz and Sapphire Substrates
Goldys,E.M. ; Paterson,M.J. ; Zuo,H.Y. ; Tansley,T.L.
出版情報: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, ICSCIII-N'97 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Stockholm, Sweden, September 1997.  Part2  pp.1205-1208,  1998.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 264-268