1.

国際会議録
国際会議録
1. Gate oxide Integrity Response as a Function of Near the Surface Crystal Defects Morphology
Borionetti, G. ; Godio, P. ; Bonoli, F. ; Comara, M. ; Orizio, R. ; Falster, R.
出版情報: High Purity Silicon VI : proceedings of the sixth International Symposium.  pp.456-466,  2000.  Bellingham, Wash..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-17
2.

国際会議録
国際会議録
2. Study on the Effect of Silicon Surface Cleaning Processes on Gate Oxide Integrity
Corradi, A. ; Borzoni, E. ; Godio, P. ; Borionetti, G.
出版情報: Science and technology of semiconductor surface preparation : symposium held April 1-3, 1997, San Francisco, California, U.S.A..  pp.241-,  1997.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 477
3.

国際会議録
国際会議録
3. Investigation on Low Density Defects in Czochralski Silicon Crystals: Their Detectability, Formation Kinetics and Influence on Gate Oxide Integrity
Borionetti, G. ; Godio, P. ; Porrini, M. ; Ilic, S.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on High Purity Silicon.  pp.160-169,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-13