1.

国際会議録
国際会議録
1. Why Phase-Change Materials Work: An EXAFS Investigation of Ge-Sb-Te Alloys
D. A. Baker ; S. C. Agarwal ; G. Lucovsky ; M. A. Paesler ; P. C. Taylor
出版情報: Chalcogenide alloys for reconfigurable electronics : symposium held April 19-21, 2006, San Francisco, California, U.S.A..  pp.157-170,  2006.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 918
2.

国際会議録
国際会議録
2. Band Edge Traps at Spectroscopically-Detected O-Atom Vacancies in Nanocrystalline ZrO₂ and HfO₂: An Engineering Solution for Elimination of O-Atom Vacancy Defects in Non-crystalline Temary Silicate Alloys
G. Lucovsky ; J. Luning ; N. A. Stoute ; H. Seo ; C. L. Hinkle ; B. Ju
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.381-392,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Elimination of Native Ge Dielectrics at Ge/High-k Dielectric Interfaces for Ge MOS Devices
G. Lucovsky ; J.P. Long ; H. Seo ; K. Chung ; S. Lee
出版情報: SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices.  pp.381-395,  2008.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 16(10)
4.

国際会議録
国際会議録
4. Gate Dielectrics for Advanced Semiconductor Devices: Thermally-Grown SiO₂ is a Very Difficult Act to Follow
G. Lucovsky
出版情報: Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface-5.  pp.3-28,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(1)
5.

国際会議録
国際会議録
5. Defects and Defect Precursor Reductions in Non-Crystalline Thin Films: Intermediate Phases Generated by Chemcial Bonding Self- Organizations
G. Lucovsky ; J. Phillips ; S. Kasap
出版情報: 2007 International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors (ULSIC vs. TFT).  pp.125-130,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 8(1)
6.

国際会議録
国際会議録
6. Spectroscopic Studies of Band Edge Electronic and Defect States in Elemental High-k Oxide Dielectrics and Si Oxynitride Alloys onto Si(100) Substrates
G. Lucovsky ; H. Seo ; L. Fleming ; M. Ulrich ; J. Lüning
出版情報: 2007 International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors (ULSIC vs. TFT).  pp.105-110,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 8(1)
7.

国際会議録
国際会議録
7. Materials and Processes for High k Gate Stacks: Results from the FEP Tzansition Center
C. Osburn ; S. Campbell ; A. Demkov ; E. Eisenbraun ; E. Garfunkel ; F. Gustafsson ; A. I. Kingon ; J. Lee ; D. Lichtenwalner ; G. Lucovsky ; T. Ma ; J. Maria ; V. Misra ; R. Nemanich ; G. Parsons ; D. Schlom ; S. Stemmer ; R. M. Wallace ; J. Whitten
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 4.  pp.389-416,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(3)