1.

国際会議録
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1. New Features of the SILC in MOSFETs with Ultrathin Oxides
D. Bauza ; G. Ghibaudo ; F. Lime ; F. Rahmoune
出版情報: Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface-5.  pp.209-220,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(1)
2.

国際会議録
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2. High dose Implantation Impact on the Carrier Mobility in Ultra-Thin Unstrained and Strained SOI Films
C. Dupre ; P. Fazzini ; T. Ernst ; F. Cristiano ; J. Hartmann ; A. Claverie ; F. Andrieu ; O. Faynot ; P. Rivallin ; F. Laugier ; G. Ghibaudo ; S. Cristoloveanu ; S. Deleonibus
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices 13.  pp.33-38,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 6(4)
3.

国際会議録
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3. Low Temperature Chatacterization of High-k Dielectric Metal Gate FD-SOI nMOSFETs
L. Zafari ; J. Jomaah ; G. Ghibaudo ; O. Faynot ; A. Vandooren
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices 13.  pp.39-44,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 6(4)
4.

国際会議録
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4. Performance and Physical Mechanisms in Thin Film SOI MOSFETs as a Function of Temperature
J. Jomaah ; F. Balestra ; G. Ghibaudo
出版情報: Proceedings of the Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.124-135,  1993.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1993-22
5.

国際会議録
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5. Performance and Physical Mechanisms in LDD-Type MOSFETs Operated at Low Temperature
A. Emrani ; K. Rais ; I.M. Hafez ; F. Balestra ; G. Ghibaudo ; M. Haond
出版情報: Proceedings of the Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.19-29,  1993.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1993-22
6.

国際会議録
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6. Mobility Law for Si MOSFET Modeling from Liquid Helium to Room Temperatures
A. Emrani ; G. Ghibaudo ; F. Balestra
出版情報: Proceedings of the Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.40-51,  1993.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1993-22
7.

国際会議録
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7. Study of the Mobility at High Electric Field in Si MOSFETs Between 4.2K and 300K
K. Rais ; A. Emrani ; F. Balestra ; G. Ghibaudo
出版情報: Proceedings of the Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.52-62,  1993.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1993-22
8.

国際会議録
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8. Low-Temperature Performance of Ultimate Si-Based MOSFETS
J. Jomaah ; G. Ghibaudo ; S. Cristoloveanu ; A. Vandooren ; F. Dieudonné ; J. Pretet ; F. Lime ; K. Oshima ; B. Guillaumot ; F. Balestra
出版情報: Low temperature electronics and low temperature cofired ceramic based electronic devices : proceedings of the seventh International Symposium on Low Temperature Electronics and the International Symposium on Low Temperature Cofired CeramicBbased Electronic Devices.  pp.118-128,  2003.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-27
9.

国際会議録
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9. Impact of BOX/substrate interface on low frequency noise in FD-SOI devices
L. Zafari ; J. Jomaah ; G. Ghibaudo
出版情報: Noise and fluctuations in circuits, devices, and materials : 21-24 May 2007, Florence, Italy.  2007.  Bellingham, Wash..  SPIE - The International Society of Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 6600