1.

国際会議録
国際会議録
1. Growth of Crystalline Silicon Carbide by CVD Using Chlorosilane Gases
M. J. Loboda ; M. F. MacMillan ; J. Wan ; G. Chung ; E. Carlson ; Y. Makarov ; A. Galyukov ; M. J. Molnar
出版情報: Silicon carbide 2006--materials, processing and devices : symposium held April 18-20, 2006, San Francisco, California, U.S.A..  pp.49-58,  2006.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 911
2.

国際会議録
国際会議録
2. Measurement of Critical Thickness for the Formation of Interfacial Dislocations and Half Loop Arrays in 4H-SiC Epilayer via X-Ray Topography
H.H. Wang ; F.Z. Wu ; M. Dudley ; B. Raghothamachar ; G. Chung
出版情報: Silicon carbide and related materials 2013 : selected, peer reviewed papers from the 15th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2013), September 29 - October 4, 2013, Miyazaki, Japan.  pp.328-331,  2014.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 778-780
3.

国際会議録
国際会議録
3. Surface Characterization and Manipulation of SWCNT for Sensor Applications
W.J. Buttner ; G. Chung ; L. Evans ; G. Hunter ; J.R. Stetter
出版情報: Sensors, Actuators, and Microsystems.  pp.9-15,  2006.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(21)
4.

国際会議録
国際会議録
4. Resolving the Discrepancy between Observed and Calculated Penetration Depths in Grazing Incidence X-Ray Topography of 4H-SiC Wafers
Y. Yang ; J.Q. Guo ; B. Raghothamachar ; M. Dudley ; G. Chung ; E. Sanchez ; I. Manning
出版情報: Silicon Carbide and Related Materials 2016.  pp.209-213,  2017.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 897