1.

国際会議録
国際会議録
1. THE FORMATION OF POROUS SILICON AND ITS APPLICATIONS TO DIELECTRIC ISOLATION
Frye, R. C.
出版情報: Comparison of thin film transistor and SOI technologies : symposium held February 1984 in Albuquerque, New Mexico, U.S.A..  pp.53-62,  1984.  New York.  North Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 33
2.

国際会議録
国際会議録
2. DIELECTRIC ISOLATION USING POROUS SILICON
Baumgart, H. ; Frye, R. C. ; Phillipp, F. ; Leamy, H. J.
出版情報: Comparison of thin film transistor and SOI technologies : symposium held February 1984 in Albuquerque, New Mexico, U.S.A..  pp.63-70,  1984.  New York.  North Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 33
3.

国際会議録
国際会議録
3. INTERFACE PASSIVATION IN AMORPHOUS SILICON TFTs BY VARIOUS GATE DIELECTRIC MATERIALS
Frye, R. C. ; Wong, C. C. ; Kornfeld, C.
出版情報: Amorphous silicon semiconductors -- Pure and hydrogenated : symposium held April 21-24, 1987, Anaheim, California, U.S.A..  pp.451-456,  1987.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 95
4.

国際会議録
国際会議録
4. *SUPERCONDUCTING INTERCONNECTIONS IN FUTURE HIGH PERFORMANCE SYSTEMS
Frye, R. C.
出版情報: Electronic packaging materials science III : symposium held November 30-December 4, 1987, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.27-38,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 108