1.

国際会議録
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1. Photorefractive nanocrystalline silicon: materials, science, and application (Invited Paper)
Fortmann, C.M. ; Mahan, A.H. ; Anderson, W.A. ; Tonucci, R.J. ; Hata, N.
出版情報: Optical information processing technology : 16-18 October 2002, Shanghai, China.  pp.312-322,  2002.  Bellingham, Wash..  SPIE-The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 4929
2.

国際会議録
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2. EFFECTS OF LOW LEVEL GRADED I-LAYER DOPING ON THE STABILITY OF a-Si:H SOLAR CELLS
Fischer, D. ; Pellaton, N. ; Keppner, H. ; Shah, A. ; Fortmann, C.M.
出版情報: Amorphous silicon technology, 1992.  pp.887-892,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 258
3.

国際会議録
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3. THE EFFECT OF HYDROGEN ON THE STRUCTURE AND ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF SILICON-GERMANIUM ALLOYS
Fortmann, C.M. ; Albright, D.E. ; Campbell, I.H. ; Fauchet, P.M.
出版情報: Materials issues in microcrystalline semiconductors : symposium held November 29-December 1, 1989, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.315-320,  1990.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 164
4.

国際会議録
国際会議録
4. EFFECT OF LIGHT-SOAKING ON THE DENSITY OF STATES AND CARRIER DYNAMICS OF a-Si1-XGeX:H ALLOYS
Unold, T. ; Cohen, J.D. ; Fortmann, C.M.
出版情報: Amorphous silicon technology, 1992.  pp.499-504,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 258
5.

国際会議録
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5. FREE CARRIER LIFETIME IN a-Si,Ge:H ALLOYS
Young, D.A. ; Fauchet, P.M. ; Liu, Y.M. ; Nighan Jr., W.L. ; Fortmann, C.M.
出版情報: Amorphous silicon technology, 1992.  pp.807-812,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 258
6.

国際会議録
国際会議録
6. CRITICAL ASSESSMENT OF SUB-BANDGAP PRIMARY PHOTOCURRENT IN a-Si:H BASED SOLAR CELLS
Zhou, T.X. ; Hegrdus, S.S. ; Fortmann, C.M.
出版情報: Amorphous silicon technology 1991 : symposium held April 30-May 3, 1991, Anaheim, California, U.S.A..  pp.451-456,  1991.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 219
7.

国際会議録
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7. CHARGE-DEFECT EQUILIBRIUM DESCRIPTION OF THE STAEBLER-WRONSKI DEFECT CONCENTRATION AND FORMATION ENERGY
Fortmann, C.M. ; Dawson, R.M. ; Wronski, C.R.
出版情報: Amorphous silicon technology 1991 : symposium held April 30-May 3, 1991, Anaheim, California, U.S.A..  pp.63-68,  1991.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 219
8.

国際会議録
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8. CHARGE-DEFECT THERMODYNAMIC EQUILIBRIUM AND METASTABLE DEFECTS IN AMORPHOUS SILICON
Fortmann, C.M. ; Cohen, J.D.
出版情報: Amorphous silicon technology, 1992.  pp.383-388,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 258
9.

国際会議録
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9. THE ROLE OF STRUCTURAL INHOMOGENEITIES ON THE TRANSPORT PROPERTIES OF a-SiGe:H
Fortmann, C.M.
出版情報: Amorphous silicon technology : symposium held April 5-8, 1988, Reno, Nevada, U.S.A..  pp.691-696,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 118
10.

国際会議録
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10. ROOM TEMPERATURE RECOVERY OF LIGHT INDUCED DEGRADATION IN a-Si:H SOLAR CELLS
Fischer, D. ; Pellaton, N. ; Keppner, H. ; Shah, A. ; Fortmann, C.M.
出版情報: Amorphous silicon technology, 1992.  pp.893-898,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 258