1.

国際会議録
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1. HEAVY PHOSPHORUS IMPLANTATION OF Ge0.83Si0.17 EPITAXIAL LAYERS
Bean, J. C. ; Fiory, A. T. ; Hopkins, L. C.,
出版情報: Ion beam processes in advanced electronic materials and device technology : symposium held April 15-18, 1985, San Francisco, California, U.S.A..  pp.103-108,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 45
2.

国際会議録
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2. A METAL-ALLOY PROCESS FOR THE FORMATION OF OXIDE SUPERCONDUCTING FILMS: ADVANTAGES, PROBLEMS SUBSTRATE INTERACTIONS, BUFFER LAYERS
Gurvitch, M. ; Fiory, A. T.
出版情報: High-temperature superconductors : symposium held November 30-December 4, 1987, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.297-302,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 99
3.

国際会議録
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3. Issues in Emissivity of Silicon
Abedrabbo, S. ; Hensel, J. C. ; Gokce, O. H. ; Tong, F. M. ; Sopori, B. ; Fiory, A. T. ; Ravindra, N. M.
出版情報: Rapid thermal and integrated processing VII : symposium held April 13-15, 1998, San Francisco, California, U.S.A..  pp.95-,  1998.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 525
4.

国際会議録
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4. Growth of Thin SiO2 by "Spike" Rapid Thermal Oxidation
Fiory, A. T.
出版情報: Ultrathin SiO[2] and high-K materials for USLI gate dielectrics : symposium held April 5-8, 1999, in San Francisco, California, U.S.A..  pp.13-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 567
5.

国際会議録
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5. Ultra-Shallow Junctions by Ion Implantation and Rapid Thermal Annealing: Spike-Anneals, Ramp Rate Effects
Agarwal, A. ; Gossmann, H-J. ; Fiory, A. T.
出版情報: Si front-end processing - physics and technology of dopant-defect interactions : symposium held April 6-9, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.19-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 568
6.

国際会議録
国際会議録
6. Shallow Boron Implant Activation
Fiory, A. T. ; Bourdelle, K. K. ; Agarwal, A. ; Gossmann, H-J. ; Rafferty, C. S.
出版情報: Si front-end processing - physics and technology of dopant-defect interactions : symposium held April 6-9, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.31-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 568
7.

国際会議録
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7. Tetragonal strain in MBE GexSi1-x films grown on (100) Si observed by ion channeling and x-ray diffraction
Fiory, A. T. ; Feldman, L. C. ; Bean, J. C. ; Robison, I. K.
出版情報: Thin films and interfaces II : symposium held November 1983, in Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.497-504,  1984.  New York.  North-Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 25
8.

国際会議録
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8. INTERFACIAL STRUCTURE AND STABILITY IN GeXSil-X/Si STRAINED LAYERS
Hull, R. ; Bean, J. C. ; Gibson, J. M. ; Marcantonio, K. J. ; Fiory, A. T. ; Nakahara, S.
出版情報: Layered structures, epitaxy, and interfaces : symposium held November 26-30, 1984, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.261-266,  1985.  Pittsburgh.  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 37
9.

国際会議録
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9. Flat-Band Voltage Study of Atomic-Layer-Deposited Aluminum-Oxide Subjected to Spike Thermal Annealing
Mehta, V. R. ; Fiory, A. T. ; Ravindra, N. M. ; Ho, M. Y. ; Wilk, G. D. ; Sorsch, T. W.
出版情報: CMOS front-end materials and process technology : symposium held April 22-24, 2003, San Francisco, California, U.S.A..  pp.109-114,  2003.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 765
10.

国際会議録
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10. RIPPLE PYROMETRY FOR RAPID THERMAL ANNEALING
Fiory, A. T. ; Nanda, A. K.
出版情報: Rapid thermal and integrated processing III : symposium held April 4-7, 1994, San Francisco, California, U.S.A..  pp.3-,  1994.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 342