1.

国際会議録
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1. GETTERING OF TRANSITION METALS AT OXIDE PRECIPITATES IN SILICON
Falster, R.
出版情報: Proceedings of the Satellite Symposium to ESSDERC 93 Grenoble/France : crystalline defects and contamination: their impact and control in device manufacturing.  pp.149-169,  1993.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1993-15
2.

国際会議録
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2. A MODEL FOR ROOM-TEMPERATURE WET OXIDATION OF SILICON
Cerofolini, G.F. ; Meda, L. ; Falster, R.
出版情報: Proceedings of the Seventh International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.379-390,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-10
3.

国際会議録
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3. INVITED: INTRINSIC POINT DEFECTS AND REACTIONS IN THE GROWTH OF LARGE SILICON CRYSTALS
Falster, R. ; Voronkov, V.V. ; Holzer, J.C. ; Markgrafh, S. ; McQuaid, S.A. ; Mule'Stagno, L.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.468-489,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(1)
4.

国際会議録
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4. INFLUENCE OF POLYSILICON AND CRUCIBLE PURITY ON THE MINORITY CARRIER RECOMBINATION LIFETIME OF CZOCHRALSKI SILICON CRYSTALS
Borionetti, G. ; Porrini, M. ; Geranzani, P. ; Orizio, R. ; Falster, R.
出版情報: Proceedings of the Seventh International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.104-110,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-10
5.

国際会議録
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5. Gate oxide Integrity Response as a Function of Near the Surface Crystal Defects Morphology
Borionetti, G. ; Godio, P. ; Bonoli, F. ; Comara, M. ; Orizio, R. ; Falster, R.
出版情報: High Purity Silicon VI : proceedings of the sixth International Symposium.  pp.456-466,  2000.  Bellingham, Wash..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-17
6.

国際会議録
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6. Behaviour and effects of intrinsic point defects in the growth of large silicon crystals
Voronkov, V.V. ; Falster, R. ; Holzer, J.C.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Crystalline Defects and Contamination, their Impact and Control in Device Manufacturing II.  pp.3-17,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-22
7.

国際会議録
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7. The Engineering of Silicon Wafer Material Properties Through Vacancy Concentration Profile Control and the Achievement of Ideal Oxygen Precipitation Behaviour
Falster, R. ; Gambaro, D. ; Olmo, M. ; Cornara, M. ; Korb, H.
出版情報: Proceedings of the Fifth International Symposium on High Purity Silicon V.  pp.135-146,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-13
8.

国際会議録
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8. CHARACTERIZATION OF METALLIC IMPURITIES IN LARGE DIAMETER CZ Si WAFERS IN HIGH VOLUME PRODUCTION ENVIRONMENT
Eichinger, P. ; Hage, J. ; Huber, D. ; Falster, R.
出版情報: Proceedings of the Satellite Symposium to ESSDERC 93 Grenoble/France : crystalline defects and contamination: their impact and control in device manufacturing.  pp.240-251,  1993.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1993-15
9.

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9. Vacancy-Nitrogen Complexes in Float-Zone Silicon
Quast, F. ; Pichler, P. ; Ryssel, H. ; Falster, R.
出版情報: High Purity Silicon VI : proceedings of the sixth International Symposium.  pp.156-163,  2000.  Bellingham, Wash..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-17
10.

国際会議録
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10. *GETTERING AND GETTERING STABILITY OF METALS AT OXIDE PARTICLES IN SILICON
Falster, R. ; Laczik, Z. ; Booker, G. R ; Bhatti, A. R. ; Tork, P.
出版情報: Defect engineering in semiconductor growth, processing and device technology : symposium held April 26-May 1, 1992, San Francisco, California, U.S.A..  pp.945-956,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 262